내장형 AI 구현 시 발열 문제
신소재로 열전도도 3.5배↑
"글로벌 고객사 높은 평가"

SK하이닉스가 업계 최초로 '하이-K EMC' 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품 사진. SK하이닉스 제공

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SK하이닉스는 업계 최초로 'High-K EMC(에폭시 몰딩 컴파운드)' 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품을 개발해 고객사들에 공급을 개시했다고 28일 밝혔다. EMC는 수분, 열, 충격, 전하 등 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하고 열을 내보내는 통로 역할을 하는 반도체 후공정 필수 재료다. SK하이닉스가 만든 소재는 EMC에 열전도 계수(K)가 높은 물질을 써서 열 전도도를 높였다는 의미에서 'High-K'라는 이름이 붙었다. 회사 관계자는 "고사양 플래그십 스마트폰 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다"고 했다.

최근 내장형(온디바이스) 인공지능(AI) 기능이 들어있는 플래그십 스마트폰은 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 위에 D램을 쌓는 '패키지 온 패키지(PoP)' 방식을 적용하고 있다. 이는 각기 다른 종류의 반도체 패키지를 위, 아래로 쌓아 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 높일 수 있다는 장점이 있다. 하지만 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 쌓이면서 스마트폰 성능 저하가 일어날 수 있다는 위험성도 있다. SK하이닉스는 이 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능 향상에 힘을 쏟았고 결국 High-K EMC 개발에 성공한 것이다.

회사 관계자는 "(High-K EMC 소재 적용을 통해) 열 전도도가 기존 대비 3.5배 수준으로 향상됐고 결과적으로 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 개선하는 성과를 거뒀다"고 했다. 이규제 부사장(PKG제품개발 담당)은 "이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 이바지한다는 점에서 큰 의미가 있다"고 했다.

박준석 기자 pjs@hankookilbo.com