삼성전자, ASML과 차세대 노광 장비 투자 논의...TSMC와 격차 좁히나 [출처 = 연합뉴스]

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[문화뉴스 MHN 문정환 기자] 삼성전자가 ASML과 차세대 노광 장비 개발 투자를 논의한 것으로 알려졌다. 2030년 시스템반도체 1위를 목표로 한 삼성전자가 TSMC와의 초미세 경쟁에서 앞서기 위해 승부수를 던진 것으로 풀이된다.

30일 업계에 따르면, 삼성전자는 네덜란드 반도체 장비 업체 ASML의 차세대 노광 기술인 High-NA(고개구수) EUV 장비 개발에 추가 투자를 검토 중인 것으로 알려졌다. 투자금액은 기존 대비 약 2배다. 업계에서는 투자가 성사된다면 투자액이 수조원에 달할 것으로 예상한다.

EUV는 극자외선(Extreme Ultra Violet)의 줄임말로 반도체의 원재료인 실리콘 웨이퍼에 회로를 그려 넣는 노광 공정에 활용되는 공법이다. EUV 공정이 주목받는 이유는 반도체의 미세화 때문이다. EUV는 파장이 13.5나노미터(nm·10억분의 1m)로 기존의 광원보다 10배 짧다. 따라서 얇고 세밀한 회로 패턴을 구현할 수 있다. 이렇게 회로 선폭을 미세화하면, 전자의 이동 거리가 줄고 동작 속도가 빨라지기 때문에 더 좋은 성능을 가진 반도체를 만들 수 있다.

삼성전자가 주목하고 있는 EUV 장비는 High-NA EUV 장비다. NA는 개구수를 나타내는데, NA가 높아질수록 해상도가 증가해 미세 공정이 가능해진다. 삼성전자는 기존 장비의 NA 수치인 0.33를 0.55로 발전시킨 장비에 관심 있는 것으로 알려졌다.

이재용 삼성전자 부회장이 10월 13일(현지시간) 네덜란드 에인트호번에 위치한 ASML 본사를 찾아 EUV 장비를 살펴보는 모습. 왼쪽부터 ASML 관계자 2명, 김기남 삼성전자 DS부문장 부회장, 이재용 삼성전자 부회장, 피터 버닝크 ASML CEO, 마틴 반 덴 브링크 ASML CTO [출처 = 삼성전자]

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이재용 삼성전자 부회장은 지난 10월 네덜란드 에인트호번에 위치한 ASML 본사를 찾아 피터 버닝크 최고경영자(CEO) 등을 만나 EUV 장비 공급계획 및 운영 기술 고도화 방안 등을 논의한 바 있다.

전문가들은 공동 개발에 나선 High-NA 장비가 수년내 양산될 경우 삼성전자는 경쟁사보다 빨리 장비를 공급받고 초미세 경쟁에서 우위를 점할 수 있을 것으로 전망하고 있다.

이번 투자로 파운드리 시장 1위인 대만의 TSMC와의 격차를 좁힐 수 있을지 주목된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 글로벌 파운드리 시장 점유율은 올해 3분기 기준 TSMC 53.9%, 삼성전자 17.4%이다. TSMC는 애플의 아이폰12 시리즈에 탑재된 'A12 바이오닉'을 5나노 공정을 적용해 제작하며 5나노 반도체 시대를 열었다.

반도체 업계 관계자는 "삼성이 차세대 노광 장비 투자에 나서면 향후 4차 산업혁명 시대 앞선 기술로 고성능 반도체 생산을 원하는 고객사에 선진 기술력 선점의 의지를 보여줄 수 있을 것"이라고 말했다.

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삼성전자, ASML과 차세대 반도체 장비 투자 논의...TSMC와 격차 좁히나
차세대 노광장비 High-NA EUV 장비 투자 논의
NA 수치 높을수록 초미세화 가능해
파운드리 시장 1위 TSMC와의 초미세 경쟁 가속화

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