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"삼성, 11조원 투자해 美 텍사스 반도체공장 증설... TSMC와 맞대결"

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조선비즈

삼성전자 오스틴 반도체 사업장 전경. /조선 DB

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삼성전자가 미국 텍사스주(州) 오스틴에 100억달러(약 11조원) 이상을 투입해 반도체 공장을 짓는 방안을 검토 중이라고 블룸버그가 22일(현지시각) 보도했다. 앞서 삼성전자가 지난해 10월 미국 내 유일한 반도체 공장인 ‘삼성 오스틴 반도체 사업장(SAS)’ 인근 부지를 추가 매입했다는 소식이 전해지자 공장 증설을 위한 절차가 아니냐는 관측이 나왔었다.

블룸버그는 익명의 소식통을 통해 "삼성전자가 오스틴에 반도체 공장을 짓는 방안을 논의 중이며 3나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 이하의 반도체를 생산할 수 있도록 할 것"이라며 "올해 중 착공에 들어가 오는 2023년부터 공장 가동을 목표로 하고 있다"고 했다.

지난해 10월 박재홍 삼성전자 파운드리(수탁생산)사업부 부사장은 온라인으로 열린 삼성 세이프포럼에서 협력사 관계자들과 만나 "2022년까지 3나노미터 제품 양산에 돌입하겠다"고 밝힌 바 있다. 삼성전자가 2022년쯤 3나노 제품 양산을 시작할 것이라는 전망은 나왔지만, 고위 임원의 공식 발언으로 확인된 것은 당시가 처음이었다.

삼성전자는 2030년 시스템 반도체 시장 1위에 오르겠다는 ‘반도체 비전 2030’을 선언한 이후 공격적인 투자에 나서고 있다. 이를 위해서는 파운드리 시장 1위인 TSMC와의 대결이 불가피하다.

이번 미국 공장 건설 계획 역시 TSMC를 견제하기 위한 차원이라고 블룸버그는 분석했다. 이미 TSMC는 지난해 2024년까지 미국 애리조나주에 120억달러(약 13조원)를 투자해 5나노 파운드리 팹을 건설하겠다고 밝힌 데 이어 3나노 반도체 생산 계획도 밝힌 바 있다.

반도체 업계에서 나노미터는 집적회로 선폭을 얘기할 때 쓰는 단위다. 반도체의 발열 효율, 생산성, 성능 전반을 끌어올리려면 회로 선폭을 줄여야 하기 때문에 업계는 그동안 공정 미세화에 몰두해왔다. 10나노대 이하로 단위가 좁혀진 이후에는 삼성전자와 TSMC의 양강구도가 형성됐다. 양측은 2019년 7나노 반도체 양산을 시작한 데 이어 지난해에는 5나노 양산에 돌입했다.

다만 삼성은 블룸버그 측에 "아직 결정된 바 없다"고 답했다.

김양혁 기자(present@chosunbiz.com)

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