삼성전자가 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다. /삼성전자 제공

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29일 업계에 따르면 라피더스는 2025년 상반기까지 2㎚ 최첨단 반도체 시제품(프로토타입) 라인을 구축하겠다는 목표를 밝혔다. 라피더스는 일본 정부가 주도하고 소니, 도요타, 키오시아, NTT, 소프트뱅크, NEC, 덴소, 미쓰비시UFJ 등 일본 8개 대기업이 지난해 세운 일본 반도체 ‘드림팀’이다.

고이케 아쓰요시 라피더스 사장은 최근 니혼게이자이 신문과 진행한 인터뷰에서 “2020년대 후반에 2㎚ 최첨단 반도체를 양산하려면 2025년 상반기까지 시제품 라인을 가동할 필요가 있다”며 “물과 전기 등 인프라가 안정적이고 국내외 인재가 모이기 쉬운 장소를 검토 중이다. 3월까지 최종 부지를 결정할 것이다”라고 말했다. 2㎚ 반도체 관련 기술 확립에는 2조 엔, 양산 라인 준비에는 3조 엔 규모의 투자가 각각 필요하다고 고이케 사장은 덧붙였다.

나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위로, 선폭이 좁을수록 소비전력이 감소하고 처리 속도가 빨라진다. 양산에 들어간 공정을 기준으로 현재 가장 앞선 기술은 3나노인데, 3나노 반도체 양산은 삼성전자가 작년 6월 세계 최초로 시작했다. TSMC는 작년 12월에 양산에 돌입했다.

세계 최초로 3나노 양산을 시작한 삼성전자는 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 공정을 도입한다는 로드맵을 작년 10월 발표했다. 당시 TSMC도 1.4나노 공정 개발에 착수했다고 알려졌으나 구체적 시기를 밝힌 양산 로드맵은 삼성전자가 먼저다.

삼성전자는 파운드리 경쟁력 강화를 위해 건설 중인 미국 테일러 파운드리 공장 라인도 1개에서 2개로 늘리기로 했다. TSMC 역시 2나노 제품 개발에 박차를 가하고 있다. 2025년 생산을 목표로 대만 북부 신주 지역에 2나노 반도체 공장을 짓는다.

인텔은 수십 년간 PC용 중앙처리장치(CPU) 중심으로 업계 선두를 지키다가 시장 변화에 대응하지 못하면서 파운드리 주도권을 TSMC와 삼성전자에 내줬다. 그러던 중 지난 2021년 파운드리 사업 재진출을 발표하고서 2023년 하반기에 3나노, 2024년에 2나노, 2025년에 1.8나노 제품을 생산하겠다고 선언했다. 인텔은 200억달러(약 24조7000억원)를 투자해 미국 애리조나주에 파운드리 공장을 짓고 있으며, 오하이오주에도 200억달러를 들여 첨단 반도체 공장 2개를 짓기로 했다.

산업연구원은 최근 발간한 ‘미래전략산업 브리프’에서 현재 대만과 한국이 경쟁하는 세계 파운드리 시장이 2025년에는 대만-한국-미국 구도, 2027년 대만-한국-미국-일본 ‘4강’ 구도가 될 것으로 예상했다.

김종기 산업연구원 선임연구위원은 “우리 강점인 반도체 제조 분야에 미국과 일본의 진입이 가시화하고 있어 세계 파운드리 경쟁구조 변화에 선제 대응이 필요하다”며 “한국의 메모리반도체 산업은 세계적 수준이지만 시스템반도체는 역량이 부족하다. 메모리 분야 강점을 토대로 수요에 기반한 팹리스(반도체 설계 전문) 역량을 강화하고, 산학 연계 및 협력 활성화를 통한 파운드리 성장 전략 추진이 필요하다”고 밝혔다.

변지희 기자(zhee@chosunbiz.com)

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