컨텐츠 바로가기

    톱 뉴스

    파이낸셜뉴스

    전기연, SiC 전력반도체 망치는 '킬러 결함' 정체 세계 첫 규명

    [파이낸셜뉴스] 한국전기연구원 차세대반도체연구센터 나문경 박사팀이 충남대학교 홍순구 교수팀, 분석 전문기업 호리바에스텍코리아와 공동 연구를 통해 SiC(탄화규소) 전력반도체 제조 과정에서 발생하는 치명적인 불량인 '킬러 결함'의 내부 구조와 발생 원리를 세계 최초로 규명했다고 21일 밝혔다. SiC 전력반도체는 고온·고압의 가혹한 환경을 견디며 전류 방향과 전력 변환을 제어하는 등 사람의 몸으로 치면 근육과도 같은 역할을 한다. 최근에는 AI 데이터센터와 전기차 수요 급증으로 전 세계 기업들이 고품질 반도체 제품의 대량 생산을 위해 치열하게 경쟁하고 있다. 이러한 SiC 전력반도체는 기판 위에 탄소와 실리콘 원자를 한 층씩 정교하게 쌓아 올리는 '에피택시(Epitaxy) 공정'을 거쳐 완성된다. 이는 얇은 실을 촘촘히 엮어 옷감을 짜는 과정과 유사해, 원자 배열이 조금이라도 어긋나면 치명적인 불량인 '킬러 결함(적층 결함)'이 발생해 반도체 칩 전체의 수율...

    시간대별 주요뉴스 모아보기

    현재 기준 30분 이전의 기사 부터 제공됩니다.

    처음
    1 2 3
    맨끝

    이슈인공지능 시대가 열린다

    이슈IT기업 이모저모

    이슈스마트폰 소식

    홈으로 이전 페이지로 맨 위로 모바일zum 다운로드 QR 이미지