젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 16일(현지시각) 미국 캘리포니아주 새너제이의 SAP센터에서 연례 개발자회의 'GTC 2026'의 기조연설을 하고 있다. /AP 연합뉴스

<이미지를 클릭하시면 크게 보실 수 있습니다>

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 연례 개발자 회의인 ’GTC2026′ 기조연설에서 삼성전자를 따로 언급해 감사를 표하면서 두 회사 간 협력을 강조했다. 특히 엔비디아의 언어처리장치(LPU)인 ‘그록(Groq)3’ 칩 제조와 관련해 삼성전자를 주요 파트너로 내세운 것이다.

황 CEO는 16일(현지시각) 미국 캘리포니아주 새너제이 소재 SAP센터에서 진행한 기조연설에서 추론 전용 칩을 소개하면서 “삼성이 우리를 위해 그록3 LPU 칩을 제조하고 있다”며 “지금 최대한 빠르게 생산을 늘리고 있다. 삼성에게 정말 감사드린다”고 말했다.

그는 해당 칩이 엔비디아의 차세대AI칩 ‘베라 루빈’ 시스템에 탑재된다고 설명하면서 “올해 하반기, 아마 3분기께 출하가 시작될 것”이라고 말했다. 그록3LPU는 엔비디아의 ‘루빈’ 그래픽처리장치(GPU)와 역할을 나눠 추론 성능과 효율성을 높이는 칩으로, 황CEO의 이번 발언을 통해 삼성전자의 파운드리(반도체 수탁생산) 사업부가 생산하고 있다는 사실이 확인됐다.

삼성전자도 이날 GTC 행사장에 마련한 전시장을 통해 차세대 HBM인 ‘HBM4E’의 실물 칩과 적층용 칩인 ‘코어 다이’ 웨이퍼를 처음으로 일반에 공개하며 메모리 부문에서 엔비디아와의 협력을 적극적으로 홍보했다.

올 하반기 샘플 출하를 목표로 하는 HBM4E는 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 전송 속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트) 대역폭을 지원할 예정이다. 이는 지난달 양산 출하를 개시한 최신작 6세대 HBM4의 13Gbps 전송속도와 3.3TB/s 대역폭을 뛰어넘는 수치다.

삼성전자는 HBM4의 양산을 통해 축적한 1c(10나노급 6세대) D램 공정 기반 기술 경쟁력과 삼성 파운드리의 4㎚(나노미터) 베이스 다이(HBM 맨 아래 탑재되는 핵심 부품) 설계 역량을 바탕으로 HBM4E 개발을 가속한다는 계획이다.

이처럼 삼성전자가 HBM4의 양산 출하 직후부터 HBM4E을 공개하고 나선 것은 SK하이닉스나 마이크론 등 다른 경쟁사와의 격차를 부각하기 위한 것으로 풀이된다. 이번 GTC에서 차세대 HBM4E를 전면에 내세운 메모리 기업은 주요 공급사 중 삼성전자가 유일하다.

특히 삼성전자는 이번 전시에서 ‘HBM4 히어로 월(Hero Wall)’을 통해 이와 같은 경쟁력이 종합반도체기업(IDM)만의 강점임을 내세웠다. 삼성전자는 또 영상을 통해 열과 압력으로 쌓은 칩을 연결하는 열압착접합(TCB)과 견줘 열 저항을 20% 개선하고 16단 이상 고적층도 지원하는 하이브리드구리접합(HCB) 패키징 기술도 공개했다.

황민규 기자(durchman@chosunbiz.com)

<저작권자 ⓒ ChosunBiz.com, 무단전재 및 재배포 금지>