[디지털데일리 배태용 기자] SK하이닉스가 업계 최초로 'High-K EMC' 소재를 적용한 고방열 모바일 D램을 개발, 글로벌 고객사에 공급을 시작했다. 온디바이스(On-Device) AI 확산으로 데이터 처리 속도가 높아지면서 발열이 성능 저하의 주된 원인으로 지목되는 가운데, 이번 신제품은 고사양 플래그십 스마트폰의 발열 문제를 해결할 핵심 기술로 평가된다.

28일 SK하이닉스는 D램 패키지를 밀봉하는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)에 열전도 계수(K)가 높은 알루미나(Alumina)를 실리카(Silica)와 혼합해 적용한 신소재 'High-K EMC'를 도입했다고 밝혔다. 이를 통해 기존 대비 열전도도를 3.5배 높이고, 수직 열 이동 경로의 열 저항을 47% 개선하는 성과를 거뒀다.

최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP 위에 D램을 적층하는 PoP(Package on Package) 구조를 채택한다. 이 방식은 공간 효율성과 성능 향상에는 유리하지만, AP에서 발생한 열이 D램 내부에 축적돼 전체 기기 성능을 떨어뜨리는 한계가 있었다. SK하이닉스는 이번 신제품을 통해 이러한 문제를 근본적으로 해결할 수 있다는 설명이다.

향상된 방열 성능은 단순히 발열 억제에 그치지 않고 ▲스마트폰 성능 안정화 ▲배터리 사용 시간 증가 ▲제품 수명 연장 등 부가적 효과도 제공한다. 회사는 이로 인해 글로벌 스마트폰 제조사들의 관심과 수요가 빠르게 늘어날 것으로 기대하고 있다.

이규제 SK하이닉스 부사장(PKG제품개발 담당)은 "이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어, 고성능 스마트폰 사용자들의 체감 불편을 해소한다는 점에서 의미가 크다"며 "소재 기술 혁신을 기반으로 차세대 모바일 D램 시장에서 기술 리더십을 더욱 강화해 나가겠다"고 강조했다.

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