[디지털데일리 배태용기자] 삼성전자가 평택캠퍼스에서 차세대 D램과 낸드플래시 투자를 잇따라 진행하며 AI 수요 대응 체계를 본격화하고 있다. 글로벌 메모리 업황 회복이 가시화되면서 차세대 공정으로 세대 전환해 시장을 선점하려는 계산이다.

11일 업계에 따르면 삼성전자는 경기도 평택 캠퍼스를 HBM 및 차세대 DDR5 대응용으로 개조한 것으로 알려졌다. 삼성전자는 지난 2023년 말부터 일부 라인 가동을 늦추며 투자 속도를 조절해 왔으나 AI 반도체 수요가 폭증하면서 다시 투자 엔진을 가동했다.

구체적으로 상반기부터는 평택 P4의 1단계(Phs1) 공간에 6세대(1b) 10나노급 D램 공정을 중심으로 약 3만장 규모의 투자를 진행했으며 10월부터는 P4 3단계(Phs3) 라인에서 7세대(1c) D램 양산을 위한 장비 입고가 시작된 것으로 전해진다.

2026년 3분기부터는 P4 4단계(Phs4), 2026년 말~2027년 초에는 P4 2단계(Phs2) 순으로 투자가 이어질 것으로 예상하고 있다. 2026~2027년을 목표로 P4 라인의 풀가동 체계를 완성하려는 전략의 일환으로 풀이된다.

이 같은 구조 개편은 생산성과 품질을 동시에 개선해 향후 HBM4·DDR5·LPDDR6까지 아우를 수 있는 공정 체계를 확보하려는 의도로 풀이된다. 1c 공정은 현재 1b 대비 공정 미세화 수준이 한층 진화된 7세대 10나노급 기술으로 특히 HBM4, DDR5 등 고대역폭·고성능 메모리 대응을 위한 핵심 전환 공정으로 꼽힌다.

낸드 부문에서도 세대 전환을 병행한다. P4 1단계 공간에는 9세대(V9) 3D 낸드 1만5000장 규모의 투자가 진행하며 중국 시안 팹에서도 같은 세대의 전환 투자가 예정돼 있다. 업계에 따르면 2025년 말부터 장비 입고를 시작해 2026년 1분기 중 셋업을 마무리할 것으로 알려졌다.

이에 이어 2027년까지 평택 P1과 P2 라인도 순차적으로 V9 공정으로 전환될 전망이다. V9은 셀 적층 수가 290단을 넘어서는 초고적층 낸드로, AI 데이터센터의 SSD(솔리드스테이트드라이브)와 고속 캐시 스토리지용으로 수요가 늘고 있다. 특히 AI 모델 학습·추론 과정에서 생성되는 대규모 데이터 처리 속도를 높이기 위해 대용량 낸드의 채택이 빠르게 확산되는 추세다.

한 업계 관계자는 "1c D램과 V9 낸드는 각각 AI 학습용 HBM4, 추론용 고속 SSD 수요와 직결된 세대"라며 "삼성전자가 평택 P4를 중심으로 양산 라인을 전면 재편하는 것은 향후 AI 메모리 시장의 수요 급증을 선제적으로 반영한 것"이라고 말했다.

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