‘2025 대한민국 지식재산대전’에서 대한변리사회장상을 받고 기념촬영을 하고 있다. (왼쪽에서 다섯번 째가 정혁제 실장). 사진ㅣ인더뉴스

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인더뉴스 제해영 기자ㅣ태성환경연구소 나노팹기술개발센터(회장 윤기열, 대표이사 김석만: 이하 태성)가 ‘3.5F² DRAM 셀’ 설계 기술 특허 등록에 이어, 이 기술의 우수성과 사업성을 인정받아 지난 3일 코엑스에서 열린 ‘2025 대한민국 지식재산대전’에서 대한변리사회장상을 받았다고 5일 밝혔습니다.

수상의 영예를 안겨준 특허는 '서브 4F²(3.5F²) 구조의 셀이 적용된 3차원 적층형 디램 소자'에 대한 것입니다. 태성은 지난해 나노FAB기술개발센터를 통해 3.5F² DRAM 셀 설계 기술을 개발하고 특허 등록을 마쳤습니다.

해당 기술은 기존 6F² DRAM 대비 셀 집적도를 크게 향상시키고, 전력 효율과 저장 용량 측면에서 개선 폭이 커 차세대 메모리 구조의 발전 가능성을 보여주는 기술로 평가돼 왔습니다.

태성은 이 기술을 기반으로 국내·외 특허 출원을 확대하며 총 30건 수준의 지식재산권 확보를 준비하고 있습니다. 이번 DRAM 셀 기술은 메모리의 기본 구조를 효율적으로 재구성해 집적도 향상과 전력 절감을 구현하는 데 초점을 맞춘 설계 기술로, 차세대 DRAM 개발의 기초 역량을 강화하는 데 의미가 있습니다.

정혁제 나노FAB기술개발센터 실장은 “이번 기술이 차세대 DRAM 구조 설계의 핵심 요소로 활용될 수 있다"며 "향후 메모리 소자의 집적도 개선과 구조 최적화 연구에 중요한 기초 기술이 될 것이다"고 말했습니다.

해당 기술은 이번 지식재산대전 심사에서 기술의 독창성과 상용화 가능성이 높은 점이 긍정적으로 평가돼 대한변리사회장상 수상으로 이어졌습니다.

임채록 태성 개발총괄이사는 “이번 수상은 연구 개발의 방향성과 기술적 진전이 공식적으로 인정받은 결과”라며 “DRAM 기반 기술을 포함해 앞으로도 첨단 반도체 분야에서 경쟁력을 높일 수 있는 연구를 지속하겠다”고 밝혔습니다.

태성환경연구소는 이번 수상을 계기로 국내 반도체 기술 자립과 고성능 메모리 개발 분야에서의 기여를 더욱 확대할 계획입니다.

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