[앵커]

중국 반도체회사로 이직하면서 국내 기업의 핵심 기술을 빼돌려 유출한 전직 삼성 임직원들이 무더기로 재판에 넘겨졌습니다.

자세한 내용 취재기자 연결해 살펴보겠습니다.

임광빈 기자.

[기자]

네, 서울중앙지검 정보기술범죄수사부가 삼성전자 임직원 출신 A씨 등 5명을 부정경쟁방지법 위반 및 산업기술보호법 위반 혐의로 구속기소 했다고 밝혔습니다.

중국 창신메모리 개발팀 직원 등 5명도 같은 혐의로 불구속기소 됐습니다.

검찰에 따르면, 지난 2016년 중국 지방정부 등이 출자해 설립된 중국 창신메모리는 설립 직후 삼성전자 부장 출신인 A씨를 개발실장으로 영입했습니다.

A씨는 이후 삼성전자 독자 기술이었던 10나노대 D램 공정 기술을 가져오기 위해 공정별 핵심 인력 영입에 나섰는데요.

위장 회사를 만든 뒤 주기적으로 사무실을 변경하고, 출국금지·체포에 대비한 암호를 만들기도 했습니다.

이 과정에서 삼성전자의 연구원이었던 B씨는 D램 공정의 핵심 정보를 자필로 베껴 적어 이직했고, 중국 창신메모리는 당시 세계 유일의 10나노대 D램 공정 기술을 통째로 확보했습니다.

이후에도 삼성전자 임직원들을 추가로 영입하면서 본격적인 D램 개발에 착수한 중국 창신메모리는 협력업체를 통해 SK하이닉스의 반도체 공정 관련 기술까지 추가로 확보했습니다.

이 같은 방법으로 한국의 핵심 반도체 기술들을 모두 손에 넣은 중국 창신메모리는 결국 2023년 중국 최초이자 세계에서 4번째로 10나노대 D램 양산에 성공했습니다.

검찰은 이번 범행을 통해 한국 기업의 핵심 산업 기술이 유출되고, 막대한 경제적 피해가 발생했다고 지적했습니다.

또 세계 시장 점유율 변화를 근거로 추정한 삼성전자의 2024년 매출액 감소만 5조 원에 달하며, 향후 국가 경제 전반에 미칠 악영향을 모두 합하면 피해액은 최소 수십조 원에 달할 것으로 예상했습니다.

지금까지 사회부에서 전해드렸습니다.

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임광빈(june80@yna.co.kr)