[디지털데일리 김문기기자] 인텔이 차세대 미세 공정인 1.4나노미터(nm)급 ‘인텔 14A’ 공정의 시범 가동에 돌입하며 파운드리 시장 리더십 탈환을 위한 속도를 높이고 있다.

23일(현지시간) 로이터 및 톰스하드웨어 등 복수 외신에 따르면 인텔은 미국 오리건주에 위치한 D1X 팹에서 1.4나노 공정의 초기 시범 가동을 시작했다고 전했다. 이는 업계 최초로 네덜란드 ASML의 차세대 노광 장비인 ‘하이-NA(High-NA) EUV’를 상용 라인에 도입해 거둔 성과로, 2027년 양산 계획을 구체화하는 단계로 풀이된다.

인텔 14A 공정은 기존 18A 대비 와트당 성능이 약 15% 향상될 것으로 전망된다. 특히 2세대 리본펫(RibbonFET) 게이트-올-아라운드(GAA) 트랜지스터와 2세대 후면 전력 공급 네트워크(BSPDN) 기술인 ‘파워디렉트(PowerDirect)’가 적용된다. 전력을 트랜지스터 소스와 드레인에 직접 연결해 전압 강하를 줄이고 클록 효율을 최적화한 것이 기술적 핵심이다.

현재 인텔은 오리건 팹에 두 대의 하이-NA EUV 시스템을 배치해 연구개발 및 공정 안정화를 진행 중이다. 인텔은 올해 초 고객사용 공정 설계 키트(PDK) 배포를 시작했으며, 복수의 외부 고객사를 이미 확보한 것으로 알려졌다. 이는 인텔 파운드리가 자사 칩 물량 외에 외부 팹리스 고객을 위한 양산 준비 단계에 진입했음을 시사한다.

업계에 따르면 올해가 인텔 파운드리 사업의 전환점으로 보고 있다. TSMC가 기존 저해상도 EUV 장비를 활용해 2028년경 1.4나노급(A14) 양산을 계획 중인 것과 비교해, 인텔은 차세대 장비를 선제 도입함으로써 기술적 격차를 벌리겠다는 전략이다. 다만 4억 달러(약 5400억원)에 달하는 장비 도입 비용과 초기 수율 안정화에 따른 수익성 확보는 향후 해결해야 할 과제로 꼽힌다.

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