2028년 가동 P5 공사 속도…1c 캐파 집중해 차세대 HBM 수요 대응
평택 파운드리 HBM4 베이스다이 양산…가동률 최대치 근접
공사 중인 삼성전자 평택캠퍼스 전경 |
2일 업계에 따르면 오는 2028년 가동 예정인 삼성전자 평택 P5(5공장)는 다음 달부터 작업자를 기존보다 1만여명가량 늘리고, 철골 공사에 이어 클린룸 등 팹(공장) 구축을 위한 핵심 설비 공사에 들어가는 것으로 알려졌다. P4(4공장)도 공기(공사기간) 효율화 작업을 진행 중이다.
평택캠퍼스의 총 면적은 289만㎡(약 87만평)로 업계 최대 규모의 반도체 생산 거점이다. 현재는 기존 P1∼P3에 부분 가동 중인 P4까지 총 4기의 공장이 돌아가고 있다.
이 가운데 전 세계적인 AI 서버 증설, 빅테크의 투자 등에 따른 메모리 수요의 폭발적인 증가로 평택캠퍼스 내 메모리 생산라인은 풀 캐파(완전 가동)인 상태다.
여기에 더해 삼성전자는 P4·P5를 AI 반도체 수요 확대에 따른 시장 환경 변화에 대응하고, HBM 등 차세대 메모리 제품의 중장기 공급 대응력을 강화하기 위한 핵심 인프라로 구축한다는 목표다.
업황 반등에 따른 적극적인 수요 대응은 실적으로도 나타나고 있다.
삼성전자는 지난해 4분기 범용 D램과 HBM3E(5세대) 제품 판매 확대에 힘입어 국내 기업 최초로 분기 영업이익 20조원을 달성했다. 업계 최대 생산능력을 바탕으로 SK하이닉스에 내줬던 글로벌 D램 1위 자리도 1년 만에 탈환했다.
시장에서는 AI 투자 확대 흐름 지속으로 올해도 반도체 부족 및 가격 상승 추세가 이어질 것으로 본다.
글로벌 투자은행(IB) 모건스탠리는 올해 삼성전자 전체 영업이익이 245조7천억원에 달할 것이라는 전망도 내놨다.
삼성전자, 세계 최초 HBM4 양산 출하 |
무엇보다 HBM4부터는 HBM의 두뇌 역할을 하는 로직 다이에 파운드리 공정이 적용돼 메모리와 파운드리의 협업이 그 어느 때보다 중요해진 상황이다.
이에 따라 메모리와 파운드리 간 시너지 체제를 갖춘 평택캠퍼스는 HBM4의 핵심 생산 거점으로 평가받는다.
최근 삼성전자가 세계 최초로 양산 출하한 HBM4는 6세대 10나노급 D램(1c) 공정과 삼성 파운드리 4나노(㎚·1㎚=10억분의 1m) 기반 베이스 다이 등 최신 기술이 적용됐다.
삼성전자는 평택 P4·P5에 1c 캐파를 집중시켜 HBM4을 비롯한 HBM4E·HBM5 등 차세대 HBM에 탑재될 D램을 양산한다는 계획이다.
이와 함께 HBM4 베이스 다이를 생산하는 파운드리에서는 수율(생산품 대비 정상품 비율) 향상에 주력한다.
삼성전자는 평택 P2와 P3에 4나노, 5나노, 7나노 공정 기반의 파운드리 라인을 가동 중이다. 가동률은 최대치에 근접했고 수율도 점진적으로 개선 중인 것으로 전해진다.
업계에서는 삼성전자가 엔비디아를 비롯한 글로벌 빅테크 기업으로 HBM 공급을 확대할 것으로 보고 있다.
특히 올해 전체 HBM 시장에서 약 30% 수준의 점유율을 확보하고, HBM 매출은 전년 대비 3배 이상 증가할 것이라는 전망도 제기된다.
파운드리 사업 역시 HBM4 출하와 더불어 국내외 고객사를 다수 확보하면서 회복 국면에 접어들었다는 분석이다.
일각에서는 그간 수율 문제와 사업 부진으로 고전했던 삼성 파운드리가 이르면 올해 4분기에 흑자로 전환할 수 있다는 가능성도 점치고 있다.
업계 관계자는 "AI 반도체 수요 확대와 함께 메모리 업황이 뚜렷한 회복 국면에 들어섰다"며 "평택캠퍼스의 증설과 가동률 상승은 회사의 실적 개선을 견인할 것"이라고 말했다.
삼성전자 평택캠퍼스 |
burning@yna.co.kr
▶제보는 카카오톡 okjebo
▶연합뉴스 앱 지금 바로 다운받기~
▶네이버 연합뉴스 채널 구독하기
<저작권자(c) 연합뉴스, 무단 전재-재배포, AI 학습 및 활용 금지>
이 기사의 카테고리는 언론사의 분류를 따릅니다.
기사가 속한 카테고리는 언론사가 분류합니다.
언론사는 한 기사를 두 개 이상의 카테고리로 분류할 수 있습니다.
언론사는 한 기사를 두 개 이상의 카테고리로 분류할 수 있습니다.
