[이백현 기자]

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[디지털포스트(PC사랑)=이백현 기자] 삼성전자가 엔비디아의 인공지능(AI) 개발자 행사에서 차세대 고대역폭메모리(HBM) 기술을 공개하며 AI 메모리 경쟁력 강화에 나섰다.

삼성전자는 16일부터 19일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 연례 행사 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술과 엔비디아 차세대 플랫폼을 지원하는 메모리 솔루션을 공개했다고 17일 밝혔다.

이번 행사에서 삼성전자는 1c D램 공정과 파운드리 4나노 기술을 기반으로 개발 중인 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개했다. 해당 제품은 핀당 16Gbps 속도와 최대 4TB/s 대역폭을 지원하는 차세대 AI용 메모리다.

전시에서는 HBM 기술 경쟁력을 강조하는 'HBM4 Hero Wall'도 마련됐다. 삼성전자는 메모리 설계부터 로직, 파운드리, 패키징까지 아우르는 종합반도체기업(IDM) 역량을 통해 차세대 HBM 개발을 가속화하고 있다고 설명했다.

또한 차세대 패키징 기술인 하이브리드 코퍼 본딩(HCB) 기술도 소개했다. 이 기술은 기존 열압착 방식(TCB) 대비 열 저항을 20% 이상 낮추고 16단 이상 고적층 구조 구현을 지원하는 것이 특징이다.

삼성전자는 이번 전시에서 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼인 '베라 루빈' 시스템을 지원하는 메모리 솔루션도 함께 공개했다. HBM4, 서버용 LPDDR 기반 메모리 모듈 SOCAMM2, PCIe Gen6 기반 SSD PM1763 등 메모리와 스토리지를 통합한 '메모리 토털 솔루션'을 전시하며 양사의 협력 관계를 강조했다.

삼성전자 GTC 전시 제품 HBM4(우하단), SOCAMM2(좌하단), PM1763(상단) [사진=삼성전자]

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특히 삼성전자는 '베라 루빈' 플랫폼에 필요한 메모리와 스토리지를 모두 공급할 수 있는 기업은 현재 자사가 유일하다고 밝혔다.

이와 함께 행사 둘째 날에는 엔비디아의 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표자로 나서 차세대 AI 시스템과 이를 지원하는 메모리 인프라 전략을 소개할 예정이다.

삼성전자는 전시 공간을 AI 데이터센터, 온디바이스 AI, 피지컬 AI 등 세 개의 존으로 구성하고 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 메모리 제품도 함께 선보였다.

삼성전자는 이번 전시를 통해 엔비디아와의 협력이 단순한 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 강조했다.

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