ASML서 EUV 30여대 사들여
이천·청주·용인 첨단 팹 구축
HBM 1b→1c 공정 전환 속도
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SK하이닉스(000660)가 12조 원 규모로 반도체 핵심 장비를 대량 매입해 첨단 공정 구축을 서두른다. 이를 통해 고대역폭메모리(HBM)를 포함한 메모리 시장 주도권을 두고 치열해지는 삼성전자와 생산 인프라 경쟁에 대응할 방침이다.
SK하이닉스는 네덜란드 장비업체 ASML로부터 총 11조 9497억 원에 극자외선(EUV) 스캐너를 매입한다고 24일 공시했다. SK하이닉스는 내년 12월까지 거래를 완료해 장비를 들여올 계획이다.
EUV는 강한 빛으로 실리콘 웨이퍼에 미세하게 반도체 회로를 그려 넣는 ‘붓’ 역할을 하는 장비다. ASML은 7㎚(나노미터·10억 분의 1m) 이하의 미세 공정에 필요한 고성능 EUV 장비를 공급하는 세계 유일의 업체다. 삼성전자와 SK하이닉스는 ASML로부터 각각 EUV 수십대 씩을 구입해 가동 중이다.
SK하이닉스가 이번에 도입하기로 한 EUV 물량은 공개되지 않았지만 1대 가격이 통상 3000억~4000억 원이어서 30대 이상일 것으로 보인다. SK하이닉스는 이에 따라 EUV 규모를 기존 보다 2배가량 늘리게 됐다.
SK하이닉스는 신규 장비를 이천·청주·용인 등 첨단 팹(생산시설) 위주로 도입해 공정을 고도화할 계획이다. 이천 M16은 SK하이닉스가 처음 EUV를 도입해 1a를 시작으로 현재 최첨단인 1c D램 공정을 가동 중이다. 지난해부터 장비가 들어서고 있는 신규 팹 청주 M15X는 1b 공정 고도화와 함께 1c 공정 도입도 이뤄질 것으로 기대된다. 내년 초 가동을 목표로 구축 중인 용인 1기 팹 역시 1c 등 첨단 공정 도입을 준비 중이다.
업계는 SK하이닉스가 신규 EUV를 통해 특히 주력 제품인 HBM 경쟁력 강화에 집중할 것으로 내다봤다. 엔비디아 최신 칩 ‘베라 루빈’에 들어갈 차세대 HBM인 HBM4에서 삼성전자가 업계 최초로 1c 공정을 적용한 반면 SK하이닉스는 기존 1b 공정으로 승부를 보고 있다. SK하이닉스는 내년 HBM4E를 1c 공정으로 생산할 계획이다.
SK하이닉스 관계자는 “EUV 기반 선단 공정 전환을 통해 인공지능(AI) 메모리 경쟁력을 강화하고 범용 메모리 공급도 안정적으로 확대해 나가겠다”며 “급증하는 글로벌 메모리 수요에 대응해 시장 리더십을 공고히 하겠다”고 말했다.
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김윤수 기자 sookim@sedaily.com
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