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초고속 D램인 ‘HBM2E’. SK하이닉스 제공

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SK하이닉스가 영화 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 D램을 본격 양산한다. 현존하는 D램 중 가장 처리 속도가 빠른 제품이다. 이를 통해 딥러닝 가속기·슈퍼컴퓨터 등에 사용되는 고사양 메모리 시장을 선점한다는 계획이다.

SK하이닉스는 초고속 D램인 ‘HBM(고대역폭메모리)2E’의 본격 양산에 들어갔다고 2일 밝혔다. 지난해 8월 HBM2E D램을 개발한 이후 10개월만에 이룬 성과다. 통상 개발한 D램을 양산하는데까지는 1년이 넘는 시간이 걸린다.

하이닉스가 양산하는 HBM2E D램은 HBM D램의 차세대 제품이다. 이전 규격인 ‘HBM2’보다 처리 속도를 50% 높였다. HBM D램에는 실리콘관통전극(TSV)기술이 활용돼 기존 패키지 방식보다 크기 30% 이상, 전력 소모 50% 이상을 줄일 수 있다. 이 기술은 이번에 양산하는 HBM2E D램에도 사용됐다. 실리콘관통전극 기술은 D램에 수천개 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩 구멍을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 것이 특징이다.

HBM2E D램은 현존하는 D램 중 가장 처리 속도가 빠르다. 초당 3.6기가비트(Gb) 처리 속도를 구현한다. 1024개 정보출입구(I/O)로 초당 460기가바이트(GB) 데이터 처리를 할 수 있다. 고화질(풀HD)급 영화(3.7GB) 124편 분량 데이터를 1초에 처리할 수 있는 속도다.

초고속·고용량·저전력 특성을 지닌 HBM2E D램은 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기, 고성능 컴퓨팅에 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화됐다고 하이닉스측은 설명했다. 기상변화, 생물의학, 우주탐사 등의 연구를 주도할 엑사스케일(Exascale) 슈퍼컴퓨터에도 쓰일 수 있다.

SK하이닉스 GSM담당 오종훈 부사장은 “SK하이닉스는 세계 최초로 HBM 제품을 개발하는 등 인류 문명에 기여하는 기술 혁신에 앞장서왔다”며 “이번 HBM2E 본격 양산을 계기로 4차 산업혁명을 선도하고 프리미엄 메모리 시장에서 입지를 강화할 수 있는 기회로 삼을 것”이라고 말했다.

곽희양 기자 huiyang@kyunghyang.com

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