SK하이닉스가 초고속 D램인 ‘HBM2E’(사진)의 본격 양산에 들어갔다고 2일 밝혔다. 지난해 8월 개발에 착수한 이후 10개월만이다.

HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 HBM D램의 차세대 제품으로, 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다.

이 제품은 초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터 처리가 가능하다. 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 1초에 460기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편을 1초에 전달할 수 있는 속도로, 현존하는 가장 빠른 D램 솔루션이라고 회사는 설명했다.

용량도 이전 세대 대비 2배 이상 늘어났다. 8개의 16기가비트(Gb) D램 칩을 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다.

초고속·고용량·저전력 특징을 가진 HBM2E는 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기, 고성능 컴퓨팅 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화된 메모리 솔루션으로 각광받고 있다.

HBM은 메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 통상적 방식이 아닌, 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩 등에 수십um(마이크로미터) 간격 수준으로 가까이 장착한다. 이를 통해 칩간 거리를 단축시켜 더욱 빠른 데이터 처리가 가능하다. 기상변화, 생물의학, 우주탐사 등 차세대 기초과학과 응용과학 연구를 주도할 엑사스케일 슈퍼컴퓨터 등에도 사용될 것으로 보인다.

오종훈 SK하이닉스 GSM담당 부사장은 “HBM2E 본격 양산을 계기로 4차 산업혁명을 선도하고 프리미엄 메모리 시장에서 입지를 강화할 수 있는 기회로 삼을 것”이라고 말했다.

정세희 기자

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