SK하이닉스는 초고속 D램인 'HBM2E'의 본격 양산에 들어갔다고 2일 밝혔다. 지난해 8월 HBM2E 개발 이후 10개월만에 이룬 성과다.

HBM2E(High Bandwidth Memory)는 고대역폭 메모리로 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품이다.

초당 3.6기가비트(Gbps)의 데이터 처리가 가능한 제품으로 1초에 460기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다. 풀HD급 영화(3.7GB) 124편을 1초에 전달할 수 있어 현존하는 가장 빠른 D램 솔루션이라는 게 SK하이닉스의 설명이다.

용량도 8개의 16Gb D램 칩을 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 이전 세대 대비 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다. TSV 기술은 D램 칩에 수 천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 것으로 칩 크기는 30% 이상 줄이고, 전력 소모도 절반으로 낮출 수 있다.

이에 HBM2E는 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기, 고성능 컴퓨팅 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화된 메모리 솔루션으로 주목 받고 있다. 또 기상변화, 생물의학, 우주탐사 등 차세대 기초과학과 응용과학 연구를 주도할 엑사스케일 슈퍼컴퓨터(초당 100경 번 연산 수행이 가능한 고성능 컴퓨팅 시스템)에 채용도 예상된다.

cgapc@fnnews.com 최갑천 기자

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