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05.13 (월)

반도체 메모리 용량 1000배 높일 수 있다...산화하프늄 신기능 발굴

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메트로신문사

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축구장 면적의 몇 백 배 규모인 데이터센터의 효율을 근본적으로 높여 데이터센터 크기를 크게 줄일 수 있도록 메모리 소재 용량을 획기적으로 향상시킬 수 있는 연구 결과가 발표됐다.

과학기술정보통신부에 따르면 울산과학기술원 에너지 및 화학공학부 이준희 교수팀은 메모리 소자의 용량을 1000배 이상 향상시킬 수 있는 산화하프늄(HfO2)의 새 기능을 찾아내는데 성공했다.

이러한 연구결과는 10㎚ 수준에 멈춰선 메모리 소자의 단위셀 크기 한계를 단숨에 0.5㎚까지 축소할 수 있는 새로운 패러다임의 메모리 소재 원리를 발견한 것이어서 큰 의미를 갖는다.

이 이론을 적용하면 원자에 직접 정보를 저장해 기존 메모리 소재로는 불가능하다고 여겼던 작은 크기의 반도체뿐 아니라 초집적·초저절전 인공지능(AI) 반도체 구현에까지 이용될 수 있을 것으로 예상된다.

과기정통부와 UNIST는 이번 성과가 세계적으로 저명한 국제학술지 사이언스(Science)에 국내 이준희 교수팀 단독교신으로 3일 4시(한국시간) 발표됐다고 밝혔다. 순수 이론 논문이 사이언스에 게재되는 것은 극히 이례적이다.

산화하프늄은 트랜지스터에 전압이 걸리는 게이트 단자에 사용되는 고유전율(high-k) 반도체로 널리 알려진 산화물이다. 최근 비휘발성 메모리 성질인 강유전성까지 발견돼 기존에 실리콘 반도체 공정에 친화적인 강점까지 더해져, 차세대 메모리 소자인 강유전 메모리(FeRAM) 소재로 각광을 받고 있다.

기존에는 원자들 간 강한 탄성 상호작용으로 인해 원자 하나하나를 개별적으로 제어하는 것은 불가능하다고 알려져 있었는데, 이준희 교수 연구팀은 산화하프늄이라는 반도체에 특정 전압을 가하면 원자를 스프링처럼 강하게 묶던 상호작용이 완전히 사라지는 새로운 물리현상을 발견했다.

전압이 원자들 사이 상호작용을 끊어주는 자연차폐막이 형성되는 현상을 이용해 마치 진공에 있는 것처럼 반도체 안에 존재하는 산소원자 4개씩을 개별적으로 스위칭해 메모리 소재로 응용할 수 있음을 입증해 낸 것이다.

또 정보저장을 위해 적어도 원자 수천 개 이상이 모여 만든 수십 나노미터(㎚) 크기의 도메인이 필요하다는 기존 이론과는 달리, 1비트 정보를 저장하기 위한 물질 내 최소 크기 영역 도메인 없이 0.5㎚에 불과한 개별 원자 4개 묶음에 정보를 저장, 일반 반도체에서도 단일원자 수준의 메모리를 구현할 수 있다는 것도 입증했다.

특히, 산화하프늄(HfO2) 이라는 산화물은 기존 실리콘 기반 반도체 공정에서 이미 흔하게 사용되는 물질이어서, 원자 이론의 상업화 적용 가능성이 높고 파급력도 클 것으로 전망된다.

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이준희 교수는 "향후 초집적 반도체 분야에 세계적 경쟁력을 확보하기 위한 중요한 기반이 될 수 있는 이론으로, 개별 원자에 정보를 저장하는 기술은 원자를 쪼개지 않는 한, 현 반도체 산업의 마지막 집적 저장 기술이 될 확률이 높다"고 연구의 파급력을 설명했다.

이 연구수행은 과기정통부가 계산과학 등 신연구방법론으로 새로운 물성과 기능을 구현하는 신소재 개발 추진하는 '미래소재디스커버리 사업' 및 데이터 집약형 공학·과학 분야 문제 해결을 지원하는 '국가초고성능컴퓨팅 센터' 지원 등으로 이뤄졌다.

한편, 과기정통부는 디지털 뉴딜과 연계해 '소재연구데이터 플랫폼 구축' 사업을 추진할 예정으로, 향후 데이터 기반 소재 연구가 더욱 활성화되도록 지원할 계획이다.


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