2일 경기도 이천 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 기자간담회를 진행하는 곽노정 CEO. 사진｜SK하이닉스

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인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 2일 경기도 이천 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 한 내외신 기자간담회를 열고 AI 메모리 기술력 및 시장 현황과 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 밝혔습니다.

이날 행사에는 곽노정 CEO와 함께 SK하이닉스 주요 경영진이 참석했습니다.

간담회는 곽 사장의 오프닝 발표를 시작으로 ▲김주선 AI Infra 담당 사장의 'AI 메모리 비전' ▲최우진 P&T 담당 부사장의 'SK하이닉스 HBM 핵심 기술력과 미국 어드밴스드 패키징 추진' ▲김영식 제조/기술 담당 부사장의 '청주 M15x 및 용인 클러스터 투자' 등 3개 발표 세션과 기자들과의 질의응답 시간 순서로 진행됐습니다.

SK하이닉스는 간담회를 통해 SK하이닉스의 경쟁력과 비전 달성을 위한 전략에 대해 밝혔습니다.

곽 CEO는 오프닝에서 "현재 AI는 데이터센터 중심이지만, 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 On-Device AI로 빠르게 확산될 전망이다"라며 "AI에 특화된 '초고속·고용량·저전력' 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것이며 SK하이닉스는 HBM, TSV 기반 고용량 D램 등 각 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보했다"라고 말했습니다.

이어서 "현재 당사 HBM은 생산 측면에서 보면 올해 이미 솔드아웃인데 내년 역시 거의 솔드아웃되었다"라며 "세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비 중이다"라고 향후 방향성에 대해 설명했습니다.

한편, 삼성전자는 지난 4월30일 1분기 실적 컨퍼런스콜에서 HBM3E 12단 제품을 2분기 내에 양산한다고 발표한 바 있습니다. 이에 대해 곽 CEO는 "기술 개발에 있어 계속해서 고객 니즈에 맞는 기술을 적기에 개발·공급하는 마일스톤을 갖고 있으며 자만이나 방심하지 않고 페이스에 맞춰 고객 니즈에 부합하는 기술과 제품 공급하겠다"고 말했습니다.

HBM 경쟁 과열로 공급 과잉 우려에 대해서는 "HBM 수요는 더욱 큰 폭으로 증가하고 있고 불과 반년 전 대비 HBM 수요 가시성은 더욱 명확해지고 있다"며 "HBM4 이후에는 맞춤형 수요가 증가하며 수주형 비즈니스 성격으로 옮겨갈 것이기에 과잉 공급에 대한 리스크는 줄어들 것"이라 답변했습니다.

기자간담회에서 기자들과 질의응답을 주고받는 SK하이닉스 주요 경영진. 사진｜SK하이닉스

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또한, SK하이닉스는 자사의 HBM 핵심 기술력인 'MR-MUF 기술'에 대한 설명도 덧붙였습니다.

최 부사장은 "당사가 보유한 HBM 핵심 패키지 기술 중 하나가 MR-MUF 기술"이라며 "MR-MUF 기술은 과거 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고 공정시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며 열 방출도 45% 향상시키는 기술"이라 설명했습니다.

SK하이닉스는 해당 기술을 통해 방열 특성을 개선하고 휨 현상 제어를 강화해 HBM4 16단 제품을 구현할 계획입니다.

SK하이닉스가 최근 대만 파운드리 업체 TSMC와 HBM4 공동개발 협력을 발표한 것에 대한 질문도 이어졌습니다. 김 부사장은 "HBM3E까지는 D램으로 우리가 생산해왔으나 HBM4부터는 성능과 효율을 최대치로 끌어내야 하는 난제가 있다"라며 "구체적인 사항까지는 말할 수 없으나 이전부터도 TSMC와 많은 기술적 협업을 해왔고 이번 협력을 통해 훨씬 더 뎁스 있는 기술 교류에 대해 합의를 했다"고 답변했습니다.

미국 투자 진행에 대해서 최 부사장은 "지난달 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하기로 확정했다"며 "2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산될 예정"이라 밝혔습니다.

SK하이닉스 신규 팹 M15X 건설 조감도. 사진｜SK하이닉스

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또한, SK하이닉스는 급증하는 AI 메모리 수요에 대응하기 위해 청주에 M15x를 건설하기로 했습니다. M15x는 연면적 20만8000㎡ 규모의 복층 팹으로 EUV를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖추고 내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 양산에 들어갈 예정입니다.

용인 클러스터 부지 조성에 대해서는 SK하이닉스 첫 팹이 들어설 1단계 부지 조성 공사 진척률은 약 42%로 차질없이 일정 진행 중이라 설명했습니다. 용인 클러스터 SK하이닉스 첫 팹은 2025년 3월 공사에 착수하며 2027년 5월 준공 예정입니다.

곽 CEO는 간담회를 마무리하며 "대한민국 반도체의 발전을 위해 반도체 산업 전반에 대한 성원과 관심 지지해주시면 반도체 산업이 발전할 것"이라고 말했습니다.

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