[아이뉴스24 김종성 기자] SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)를 2026년부터 양산하기로 했다. 생성형 인공지능(AI) 확산 속도가 빨라지면서 당초 계획보다 양산 시기를 1년 앞당겼다.

SK하이닉스 생산 라인 전경. [사진=SK하이닉스]

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13일 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 서울 광진구 그랜드워커힐 호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 차세대 HBM 개발 방향을 소개하며 이같이 밝혔다. SK하이닉스가 HBM4E 개발 로드맵을 공개한 것은 이번이 처음이다.

SK하이닉스는 엔비디아 등 AI 반도체 칩에 탑재되는 HBM 첫 제품을 2014년 개발했다. 이후 2018년 HBM2(2세대), 2020년 HBM2E(3세대), 2022년 HBM3(4세대)에 이어 올해 HBM3E(5세대)를 선보이는 등 약 2년 주기로 제품이 진화해왔다. 그러나 AI 확산이 빨라지며 HBM 성능 고도화가 한층 빨라질 것으로 전망된다. 김 팀장은 "그동안 HBM은 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다"고 설명했다.

SK하이닉스는 HBM4 16단 제품을 2026년에 양산하겠다는 계획을 세웠다. 앞서 SK하이닉스는 HBM4까지는 어드밴스트 MR-MUF 공정을 적용하겠다고 밝힌 바 있다. MR-MUF는 SK하이닉스가 D램을 접합, HBM을 적층하는 기술로 HBM3E까지 적용해왔다.

SK하이닉스는 HBM4 이후부터는 더 많은 D램을 적층하기 위해 '하이브리디 본딩'을 적용할 수 있다는 입장도 내비쳤다. 하이브리드 본딩은 D램 상하를 구리로 완전히 접합하는 기술로, 칩 사이의 범프를 없앨 수 있어 더 많은 D램을 쌓을 수 있다. 김 팀장은 "HBM4에선 주력 공정인 MR-MUF는 물론 하이브리드 본딩도 연구 중이지만, 현재까진 수율이 높지 않다"며 "고객사가 20단 이상 제품을 요구했을 때에는 두께 한계 때문에 새로운 공정을 모색해봐야 할 수 있다"고 말했다.

업계에선 SK하이닉스가 HBM4E에는 10나노급 6세대(1c) D램을 처음으로 적용할 것으로 전망된다. 지금까지 SK하이닉스는 10나노급 5세대(1b) D램을 활용해 HBM3E와 HBM4를 만들었다.

/김종성 기자(stare@inews24.com)

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