[디지털데일리 배태용 기자] 삼성전자가 미국 반도체업체 엔비디아에 HBM(고대역폭 메모리)를 납품하기 위한 테스트를 아직 통과하지 못한 것으로 파악된다.

24일 로이터통신이 복수의 익명 소식통을 인용해 삼성전자 HBM의 발열과 전력소비 등이 문제가 됐다면서 이 같은 소식을 전했다.

로이터는 "삼성은 지난해부터 HBM3와 HBM3E에 대한 엔비디아의 테스트를 통과하려고 노력해 왔다"라며 "최근 삼성의 8단 및 12단 HBM3E 칩에 대한 테스트 실패 결과가 4월에 나왔다"라고 했다.

이어 "문제가 쉽게 해결될 수 있는지는 명확하지 않지만, 엔비디아의 요구 사항을 충족하지 못하면서 삼성의 경쟁사인 SK하이닉스보다 뒤처질 수 있다는 우려가 있다"라고 했다.

이에 삼성전자는 "HBM은 고객 요구에 따른 최적화 프로세스가 필요한 맞춤형 메모리 제품"이라며 "고객과의 긴밀한 협력을 통해 제품 최적화를 진행 중"이라고 밝혔다.

HBM은 디램(DRAM)을 여러 층 쌓아 데이터 용량과 처리 속도를 획기적으로 높인 반도체다. 특히 인공지능(AI) 가속기 핵심 부품으로 꼽힌다. 4세대인 HBM3부터 SK하이닉스가 사실상 엔비디아에 독점 공급하며 SK하이닉스가 앞서나간다는 평가를 받고 있다.

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