[아이뉴스24 박지은 기자] SK하이닉스는 "HBM3E 16단의 검증 단계 수율이 (HBM3E 12단 제품의) 양산 수율 대비 99% 수준"이라고 5일 밝혔다.

권종오 SK하이닉스 PKG개발 팀장은 이날 서울 강남구 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋' 유닛 강연에서 "HBM3E 16단의 샘플을 내년초 고객사에 제공할 수 있을 것"이라며 이 같이 말했다.

권종오 SK하이닉스 PKG개발 팀장이 5일 서울 강남구 코엑스에서 열린 SK AI 서밋에서 강연하고 있다. [사진=박지은 기자]

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SK하이닉스가 지난달 양산에 돌입한 HBM3E 16단 제품이 이미 공급되고 있는 12단 제품 비슷한 수준의 수율을 기록한 셈이다.

5세대 HBM 제품군 가운데 최고 사양인 16단까지 기술 주도권을 놓지 않고, 시장 수요에 적극 대응하겠다는 의미로 풀이된다.

SK하이닉스는 HBM3E 12단에 적용한 '어드밴스드 매스 리플로우 몰디드언더필(MR-MUF)' 기술을 16단에도 적용했다고 밝혔다.

HBM은 D램을 수직으로 쌓아올려 대역폭 성능을 끌어올린 제품인데, MR-MUF는 쌓아올린 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호제를 주입하고 굳히는 방식이다.

권 팀장은 "MR-MUF 기술은 단 수가 올라간다고 수율이 급격히 감소하는 기술이 아니다"고 설명했다.

HBM3E 16단을 개발하기까지 걸린 시간은 약 1년 6개월이라고 밝혔다.

권 팀장은 "HBM2E까지는 성능의 10%, 20% 개선이 크게 어렵지 않았지만, 지금은 3~5% 개선에도 굉장히 많은 연구개발이 필요한 상황"이라며 "1년 6개월가량 검증과 갭(Gap) 해결을 위해 극복기술을 개발했고, 그 성과를 보고 16단을 적층할 수 있었다"고 말했다.

이날 강연 후 플로어에선 "SK하이닉스가 MR-MUF 기술 외에 경쟁 메모리 기업에서 적용한 것으로 알려진 '하이브리드 본딩'(Hybrid bonding) 기술을 쓸 계획이 있는지" 묻는 질문이 나왔다.

권 팀장은 "SK하이닉스는 HBM3E 16단까지는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 쓸 것"이라며 "경쟁사가 HBM4E에서 하이브리드를 하겠다고 발표했는데, 우리도 기술 개발이 미진한 상황은 아니다"고 답했다.

SK하이닉스가 HBM3E 16단 이후에 HBM4 제품군을 선보이는 이유에 대해서는 "저희의 기존 계획은 HBM4를 16단 프리미엄 제품으로 만드는 것이었는데, 시장을 좀 더 빠르게 선도하기 위해 HBM3E 16단을 내놓게 됐다"고 답했다.

권 팀장은 이어 "현재 (메모리 기업의) 예측보다 실제 시장은 훨씬 빠르게 12단으로 움직이고 있고, 16단을 먼저 내놓는 이점이 있을 거라고 생각한다"고 덧붙였다.

/박지은 기자(qqji0516@inews24.com)

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