[디지털데일리 김문기기자] 인피니언 테크놀로지스가 세계 최대 자동차 제조사 중 하나인 토요타의 신규 전기차 모델에 핵심 전력 반도체를 공급하며 오토모티브 시장 내 입지를 공고히 했다.

인피니언은 10일 자사의 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체인 ‘CoolSiC™ MOSFET’이 토요타의 신규 모델 ‘bZ4X’에 채택됐다고 밝혔다.

이번에 공급되는 SiC MOSFET은 전기차의 온보드 차저(OBC)와 DC/DC 컨버터에 탑재된다.

전기차 파워트레인의 핵심 부품인 OBC와 DC/DC 컨버터에 SiC 소재를 적용함으로써, 기존 실리콘(Si) 대비 전력 손실은 줄이고 열 저항과 고전압 특성은 강화했다. 이를 통해 차량의 주행거리를 늘리고 충전 시간을 단축하는 데 기여한다는 설명이다.

피터 셰퍼 인피니언 오토모티브 영업 총괄 수석 부사장은 “토요타가 인피니언의 CoolSiC 기술을 선택한 것은 매우 고무적인 일”이라며 “SiC는 전기차의 효율과 성능을 향상시켜 미래 모빌리티의 핵심 역할을 할 것이며, 인피니언은 무결점 품질을 바탕으로 급증하는 전력 반도체 수요에 대응하고 있다”고 강조했다.

기술적으로 인피니언의 CoolSiC MOSFET은 독자적인 ‘트렌치 게이트(Trench Gate)’ 구조를 채택했다.

이 구조는 칩의 크기를 줄이면서도 전류가 흐를 때 발생하는 저항(온 저항)을 낮춰 전도 손실과 스위칭 손실을 동시에 감소시킨다. 또한 기생 커패시턴스와 게이트 임계 전압을 최적화해 구동 회로를 단순화함으로써, OBC 및 DC/DC 컨버터의 고집적 설계와 신뢰성을 높였다.

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