1c디램 및 4나노 기반…베라 루빈 플랫폼 필수 메모리

TCB 한계 극복한 HCB 패키징 기술 등 IDM 경쟁력 입증

[디지털데일리 배태용기자] 삼성전자가 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC 2026 행사에 참가해 차세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 'HBM4E' 실물 칩을 세계 최초로 공개했다.

삼성전자는 16일부터 19일까지(현지시간) 열리는 이번 전시에서 히어로월(Hero Wall)을 통해 1c디램 공정 기반 기술 경쟁력과 삼성 파운드리(Foundry) 4 나노 베이스 다이 설계 역량을 결집한 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 선보였다. HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 메모리 로직 설계 Foundry 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체기업(IDM) 강점을 전면에 내세웠다.

공개된 HBM4E는 자체 Foundry와 로직 설계 역량 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다. 영상을 통해 열압착본딩(TCB) 대비 열 저항을 20%이상 개선하고 16단이상 고적층을 지원하는 하이브리드구리본딩(HCB) 기술도 함께 공개해 차세대 패키징 기술 경쟁력을 과시했다. 삼성전자는 IDM 토털 솔루션을 통해 고성능 인공지능(AI) 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획이다.

또한 전 세계에서 유일하게 엔비디아 베라루빈(Vera Rubin) 플랫폼 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 역량도 부각했다. 엔비디아 갤러리 존을 구성해 그래픽처리장치(GPU)용 HBM4 중앙처리장치(CPU)용 서버용메모리모듈(SOCAMM2) 스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시했다. 저전력더블데이터레이트(LPDDR) 기반 SOCAMM2는 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다.

PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 베라 루빈 메인 스토리지로 부스 내에서 스카다(SCADA) 워크로드를 직접 시연해 최고 수준 성능을 현장에서 체감할 수 있도록 했다. 추론 성능 개선을 위해 새롭게 도입된 컨텍스트메모리익스텐션(CMX) 플랫폼에는 PCIe Gen5 기반 SSD PM1753을 공급할 계획이다.

한편 17일에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아 특별 초청으로 발표에 나서 양사 협력이 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 보여줄 예정이다.

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