SK하이닉스는 기존 제품보다 생산성과 용량을 크게 높인 3세대 10나노급 D램 개발을 완료, 내년 상반기부터 양산한다고 21일 밝혔다.
SK하이닉스에 따르면 이 기술은 반도체의 회로를 그리는 선폭(線幅)을 기존 2세대보다 훨씬 가늘게 만들어 웨이퍼(반도체의 원재료) 1장당 D램 생산량을 27% 늘린 것이 핵심이다. 웨이퍼 1장당 100개의 D램을 생산했다면, 이젠 127개의 D램을 만들 수 있다는 것이다.
D램 칩 하나당 16Gb(기가비트)의 데이터를 저장·처리할 수 있어 최대 8Gb 수준이던 기존 제품보다 용량도 두 배다. 16GB의 D램을 만들 경우 기존에는 칩이 16개 필요했지만 이 기술을 활용하면 8개만 있어도 된다. 전력 소비량은 최대 40%까지 줄였다. SK하이닉스 관계자는 "우선 서버·PC용 D램에 차세대 기술을 적용하고, 추후에는 모바일용 D램에도 확대 적용하겠다"고 말했다.
강동철 기자(charley@chosun.com)
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