삼성전자가 4차 산업혁명이 추동하는 중장기 메모리 수요에 대응하기 위해 중국 시안 반도체 공장에서 추가 투자에 착수한다. 메모리 불황이 이어지면서 그동안 삼성전자는 설비 투자를 최소화하는 보수적 전략을 취해 왔는데, 미래 성장을 위한 투자에 다시 시동을 걸었다는 분석이다.

12일 반도체 업계와 중국 현지 매체 등에 따르면 삼성전자는 최근 시안 반도체 2기 라인에 80억달러(약 9조4900억원) 규모의 추가 투자에 착수한 것으로 알려졌다.

앞서 삼성전자는 2017년 8월 낸드플래시 메모리 양산 규모를 확대하기 위해 3년간 총 70억달러(약 8조3000억원)를 시안 반도체 공장에 투자(1단계)하고, 제2 라인을 짓겠다고 밝힌 바 있다. 여기에 2단계로 장비 발주, 라인 증설 등에 80억달러를 추가 투자하고 2021년까지 생산라인을 완공한다는 계획이다. 삼성전자는 시안에 1라인을 건설할 때부터 이미 2라인을 위한 용지를 확보한 바 있다.

계획대로 증설이 이뤄지면 시안 2기 라인에서는 V낸드가 주로 양산된다. 낸드는 D램과 달리 전원이 꺼져도 데이터를 기억하는 메모리반도체로 사물인터넷(IoT), 인공지능(AI), 가상현실(VR) 등 4차 산업혁명발 수요 확대가 이어지고 있다. 이 중에서도 V낸드는 평면 낸드와 달리 회로를 위로 쌓아 3차원 구조로 만든 낸드플래시로 집적도가 높아 용량이 크다. 삼성전자는 2014년부터 시안 반도체 공장에서 V낸드를 양산하면서 지속적으로 생산 규모를 늘려 왔다.

삼성전자가 1단계 투자를 통해 지난해 착공한 시안 2기 라인은 올해 완공을 앞두고 있는데, 내년 초부터 본격 가동될 것으로 관측된다. 삼성전자는 올해 3분기 실적 콘퍼런스콜에서 "중장기 수요 증가에 대비하기 위해 중국 시안 공장은 2020년 초부터 가동해 증설 규모를 탄력적으로 운용할 것"이라고 밝힌 바 있다. 다만 회사 측은 "구체적인 양산 시기 등은 미정이며, 수요 변화에 따라 탄력적으로 운용하겠다"고 밝혔다.

업계는 시안 공장 2라인이 완성되면 삼성전자의 낸드플래시 독주 체제가 더욱 확고해질 것으로 보고 있다. 삼성전자의 낸드플래시 생산 거점 기지는 평택, 화성, 중국 시안 등 세 곳이다. 2021년께 시안 2라인의 2단계 투자가 모두 완료되면 월 생산능력은 투입 웨이퍼 기준 약 13만장 규모로, 12만장 규모의 1라인과 더불어 월 25만장 안팎의 생산능력을 보유할 것으로 예상된다.

[황순민 기자]

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