◆ 수출 상생경영 ◆

세계 최초로 128단 4D 낸드를 개발한 주역들. [사진 제공 = SK하이닉스]

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과거 반도체 산업은 생산능력 확대와 생산원가 절감이 핵심 경쟁 요소였다. 하지만 최근에는 공정 미세화에 따른 기술개발 난이도 상승과 투자 규모 확대, 이에 따른 투자 대비 수익에 대한 불확실성 증대 등으로 사업 환경이 변화했다. 이에 SK하이닉스는 '기술 혁신'을 통해 급변하는 미래 반도체 시장을 선도해 나간다는 방침이다.

이석희 SK하이닉스 최고경영자(CEO)는 최근 "반도체업은 무역분쟁뿐만 아니라 신규 경쟁자 진입, 인터넷데이터센터(IDC) 시장 불안정 등 여러 요인이 복잡하게 얽힌 불확실성에 직면해 있으며 이러한 불확실성은 바로 우리가 대응해야 할 '뉴노멀(New Normal)'의 실체"라면서 "원가경쟁력 확보를 통한 불확실성 극복, 전략 시장 확대, 변화에 걸맞은 내부 체질 개선, 모든 프로세스와 경영 시스템을 재편해야 한다"고 강조했다.

SK하이닉스는 2018년 11월 2세대 10나노급(1y) D램 개발에 이어 11개월 만인 작년 10월 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR4 D램도 개발했다. 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총용량도 현존하는 D램 중 가장 크다. SK하이닉스는 작년 1z D램 양산 준비를 마치고 올해부터 본격 공급에 나설 예정이며, 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 등 다양한 응용처에 걸쳐 1z 미세공정 기술을 확대 적용해 나갈 계획이다.

SK하이닉스는 2018년 10월 96단 적층 CTF(Charge Trap Flash) 기반 4D 낸드플래시 개발에 이어 작년 6월 세계 최초로 128단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시를 개발하고 양산에 나섰다. 128단 낸드는 업계 최고 적층으로 칩 한 개에 3비트를 저장하는 낸드 셀 3600억개 이상이 집적된 1Tb 제품이다.

SK하이닉스는 작년에 양산을 시작한 128단 4D 낸드플래시를 작년 하반기부터 판매하기 시작했고 다양한 솔루션 제품도 연이어 출시할 계획이다. 올해 상반기에는 차세대 UFS 3.1 제품을 개발해 스마트폰 주요 고객의 5G 등 플래그십 모델에 공급할 예정이다.

SK하이닉스는 128단 4D 낸드와 동일한 플랫폼으로 차세대 176단 4D 낸드 제품도 개발 중이며 기술 우위를 통한 낸드 사업 경쟁력을 지속적으로 강화해 나갈 계획이다.

SK하이닉스는 끊임없는 기술혁신으로 업계 선두 업체로서 위상을 지켜나가고 있다. 우선 대규모 연구개발(R&D) 투자를 이어가고 있다. SK하이닉스는 2013년 이후 연구개발비로만 꾸준히 1조원 이상을 투입하고 있다.

[기획취재팀 = 이호승 기자 / 김기정 기자 / 심상대 기자 / 원호섭 기자 / 전경운 기자 / 송광섭 기자 / 이종혁 기자 / 황순민 기자 / 박윤구 기자 / 임형준 기자 / 최근도 기자]

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