산업부와 국방부는 19일 제7회 국방산업발전협의회를 통해 이같이 밝혔다.
회의는 정부서울청사 스마트워크센터 회의실과 관계부처 영상회의실을 연결해 비대면 방식으로 진행됐다.
이 자리에서 성윤모 산업통상자원부장관은 "협의회를 계기로 지난해 9월 산업부와 방사청은 방산분야 소재부품기술개발협력 MOU를 체결해 소부장 경쟁력 강화를 위한 범정부차원의 노력을 방산분야까지 확대하는 첫 단추를 끼웠다"고 말했다.
협의회에서는 제6회 국방산업발전협의회 안건 추진 현황, 엑스밴드(X-Band) 질화칼륨(GaN) 반도체 부품 국산화 추진 방안, 미래국방 기술 확보를 위한 기초·원천R&D 연계방안 등이 논의됐다. / 이상배 기자
이상배 기자(lato@chosun.com)
- Copyrights ⓒ 조선일보 & chosun.com, 무단 전재 및 재배포 금지 -
* 뉴스제보 : 이메일(tvchosun@chosun.com), 카카오톡(tv조선제보), 전화(1661-0190)
이 기사의 카테고리는 언론사의 분류를 따릅니다.
기사가 속한 카테고리는 언론사가 분류합니다.
언론사는 한 기사를 두 개 이상의 카테고리로 분류할 수 있습니다.
언론사는 한 기사를 두 개 이상의 카테고리로 분류할 수 있습니다.