미국 마이크론테크놀로지가 '10나노급 4세대 D램'(이하 1a D램)을 양산한다. 삼성전자, SK하이닉스보다 빨랐다. 기존 10나노급 3세대(1z) 제품보다 집적도가 40% 개선됐으며, 전력 효율성은 15% 향상된 제품이다. 1a D램 출하는 세계 D램 메모리 반도체 업계에서 마이크론이 처음이다. 1a D램은 10나노미터(㎚)급 공정으로 생산되는 4세대 D램을 뜻한다.

관심은 마이크론이 D램 업계 1위 삼성전자, 2위 SK하이닉스보다 앞서서 1a D램을 상용화했다는 점이다. 삼성전자와 SK하이닉스의 1a D램 양산 시점은 올 하반기다. 삼성전자와 SK하이닉스는 극자외선(EUV) 공정을 1a D램에 적용하기 위해 관련 설비를 구축하고 있다. 마이크론은 EUV를 활용하지 않고 기존 불화아르곤(ArF) 공정으로 이번 1a D램을 양산한 것으로 알려졌다.

삼성전자가 D램 세계 1위로 올라선 지 30년 만에 처음으로 추격을 허용한 셈이다. 물론 반도체에서는 양산 시기뿐만 아니라 경쟁 요인이 여럿 작용하고 있지만 최소한 차세대 메모리 개발에서는 마이크론의 속도가 빨라 보인다는 게 전문가 분석이다. 마이크론은 지난해에 업계 최고 단수인 176단 낸드플래시도 가장 먼저 출시한 바 있다. D램 시장 3위, 낸드플래시 5위인 마이크론의 한국 메모리 추격이 심상치 않다는 점은 분명하다.

한국도 후발 업체의 추격에 따라잡힐 수 있다. 마이크론 행보를 전조 증상으로 읽어야 한다. 마이크론의 연이은 출시 소식에 서늘함이 느껴진다. 기업도 긴장하는 분위기다. 반도체 분야는 몇 년 앞을 내다본 막대한 선제 투자가 동반돼야 한다. 여러 투자 환경은 이를 뒷받침하지 못하는 것 같다. 정부 차원에서도 문제의 심각성을 인식하길 기대한다.

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