삼성전자가 5세대(5G) 이동통신 반도체도 10나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 미만 초미세 공정을 적용한 신제품을 선보이며 5G 스마트폰에서 이동통신 기지국, 네트워크 장비에 이르는 글로벌 통신 칩 시장을 공략한다. 삼성전자는 멀티 채널, 멀티 안테나를 지원하는 5G 통신용 무선주파수집적회로(RFIC) 반도체를 양산할 수 있는 8나노 무선주파수(RF) 반도체 수탁생산(파운드리) 공정 개발을 완료했다고 9일 밝혔다.

RFIC는 모뎀에서 나오는 디지털 신호를 무선 주파수로 바꿔주고, 반대로 모뎀칩으로 전송하기도 하는 무선 주파수 송수신 반도체다. 주파수 대역 변경과 디지털-아날로그 신호 변환을 하는 로직 회로와 주파수 수신, 증폭을 담당하는 아날로그 회로로 구성된다. 삼성전자는 경기 기흥·화성 S3라인에 8나노 RF 파운드리 공정 라인을 갖추고 조만간 고객사를 확보해 양산에 돌입한다는 목표다.

삼성전자에 따르면 이번 8나노 RF 공정은 이전 14나노 대비 반도체 면적은 35% 줄이면서 전력 소비 효율은 35% 높였다. 반도체는 칩 면적이 작을수록, 전력 효율이 높을수록 고성능이다. 삼성전자는 적은 전력을 사용하면서도 신호를 크게 증폭할 수 있는 RF 전용 반도체 소자 'RFeFET(RF extremeFET·RF이펫)'을 개발해 8나노 공정에 적용했다고 밝혔다. 이를 통해 공정이 미세화할수록 발생하는 주파수 증폭 성능 저하 문제 등을 해결했다는 설명이다.

삼성전자는 퀄컴과 삼성전자 시스템LSI사업부 등에 RFIC를 공급하고 있다. 향후에는 8나노 공정을 지렛대로 삼아 고객사를 더욱 늘릴 수 있을 것으로 기대된다. 이형진 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실 마스터는 "삼성전자는 최첨단 RF 파운드리 경쟁력을 바탕으로 5G를 비롯한 차세대 무선통신 시장을 적극 공략할 것"이라고 말했다.

[이종혁 기자]

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