세계 각국의 반도체 패권경쟁이 치열하게 전개되며 우리 기업들도 ‘K-반도체’의 위상을 강화하기 위해 범국가적으로 나서고 있다. 은탑산업훈장을 수훈한 남석우(사진) 삼성전자 부사장은 33년간 반도제 공정기술 전문가로, 차세대 반도체 개발을 이끌며 세계가 깜짝 놀랄 기술을 선보여 왔다.

세계 최초로 개발에 성공한 ‘D램 고유전막 형성 기술’과 ‘20나노 D램’ 등은 남 부사장이 반도체 원천기술 선행개발을 주도해 성과를 거둔 대표적인 프로젝트. 특히, V낸드 에칭기술을 활용해 업계 최초로 셀의 3차원 수직 적충구조를 제품화 했고, 이를 기반으로 메모리업계에선 유일하게 6세대 V낸드 양산에 성공했다.

20나노 D램은 글로벌 반도체업계에서도 개발이 어려울 거라며 회의적인 반응을 보였던 고난도 기술이다. 남 부사장이 이끈 20나노 D램 개발·양산 성공을 통해 글로벌 경쟁사 대비 75%의 생산성 향상 등 기술 격차를 벌렸다. 이후 4세대 10나노 D램, 6세대 V낸드로 이어지며 경쟁사 대비 초격차 경쟁력을 확보할 수 있게 됐다.

남 부사장이 몸담고 있는 삼성전자는 최근 극심한 글로벌 반도체 공급난을 돌파하기 위해 국내 화성·평택과 중국 시안의 생산기지를 통합하는 시스템 기반 반도체 생산체제를 구축 중이다. 또 협력사를 대상으로 한 기술강화 컨설팅, 보유 특허 무상 개방 등을 통해 국내 반도체산업 생태계 강화는 물론 동반성장에도 기여하고 있다.

유재훈 기자

igiza77@heraldcorp.com

Copyright ⓒ 헤럴드경제 All Rights Reserved.