- 스위스·이탈리아 기업인 ST마이크로일렉트로닉스(STM)와 중국 산안광뎬, 실리콘카바이드(SiC) 공장 충칭에 건설
- 200㎜(나노미터·10억분의 1m) SiC 생산 라인 구축

이미지=중국 경제관찰망 캡처

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【베이징=정지우 특파원】미국의 대중국 반도체 견제 강화 속에서 유럽 제2위 반도체 기업이 중국 토종 업체와 중국 본토에서 합작 벤처회사를 설립키로 했다. 신설 벤처는 전기차 부품인 실리콘카바이드(SiC) 반도체 생산을 지원하게 된다.

8일 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)와 중국 경제관찰망 등에 따르면 스위스·이탈리아 기업인 ST마이크로일렉트로닉스(STM)와 중국 산안광뎬은 전날 중국의 제조 허브인 충칭에 32억달러(약 4조1900억원) 규모의 SiC 반도체 벤처 법인을 세우는데 합의했다고 발표했다.

신설 벤처는 200㎜(나노미터·10억분의 1m) SiC 생산 라인을 새롭게 구축해 2025년 4·4분기부터 제품을 만들며, 2028년 완전 가동이 이뤄질 것으로 예상된다. 산안광뎬은 이와 별도로 200㎜ SiC 기판 공장을 독자적으로 건설한다.

STM은 스위스에 본사를 둔 글로벌 반도체 기업이며, 산안광뎬은 주로 화합물 반도체 재료·부품을 연구개발, 생산, 판매하는 업체다. 산안광뎬은 공시에서 합작 벤처 명칭은 산안STM반도체(충칭)유한공사가 될 것이라고 밝혔다.

신설 벤처의 지분은 산안광뎬의 완전 자회사 후난산안이 51%, STM이 49%를 보유하게 된다. 공장 건설은 중국 규제 당국의 승인을 받은 후 시작된다. 산안광뎬은 “프로젝트 투자 금액이 크고, 해외 기업과 협력이 필요하며, 관련 부처의 승인을 받아야 한다”고 전했다.

산안광뎬의 목표는 글로벌 SiC 전문 파운드리(반도체 위탁생산) 공장을 만드는 것이다. SiC는 신에너지차 충전 효율을 향상시켜 ‘느린 충전’과 ‘짧은 주행거리’ 문제를 해결할 수 있는 소재로 꼽힌다. 글로벌 시장조사기관 욜 디벨롭먼트에 따르면 세계 SiC 시장 규모는 2021년 10억9000만달러에서 2027년 62억9700만달러(약 8조2000억원)로 연평균 34% 성장할 것으로 관측된다.

산안광뎬은 합작 벤처에 STM의 SiC 특허 제조 공정 기술을 채택한다는 방침이다. 산안광뎬의 린커촹 사장은 “중국 시장에서 SiC가 광범위하게 사용되는 주요 원동력이 될 것”이라며 “신에너지 자동차 업계의 급속한 발전을 촉진할 것으로 기대한다”고 말했다.

앞서 미국은 지난해 10월 △18㎜ 이하 공정 D램 △128단 이상 낸드플래시 △14㎜ 이하 로직 칩을 생산하는 중국 기업에 반도체 장비를 수출하는 것을 사실상 금지하는 내용의 수출통제 조치를 발표했다.

STM의 진 마크 체리 최고경영자(CEO)는 성명에서 “STM은 이미 중국 시장에서 많은 고객 프로그램과 함께 입지를 잘 구축하고 있다”면서 “핵심 현지 파트너와 전용 파운드리를 만드는 것은 우리의 중국 고객들의 늘어나는 수요에 부응하는 가장 효과적인 방법”이라고 주장했다.