경 사장은 5일 서울대에서 ‘꿈과 행복의 삼성반도체: 지속가능한 미래’를 주제로 열린 강연에서 “경쟁사가 우리보다 먼저 (공장 건설을) 시작했는데 최근에 연기를 발표했다”며 이같이 밝혔다. 파운드리(반도체 위탁생산) 경쟁사인 대만 TSMC의 미국 공장 건설이 지연된 것을 두고 한 말로 풀이된다.
경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)이 5일 서울대에서 '꿈과 행복의 삼성반도체: 지속가능한 미래'를 주제로 한 강연을 하고 있다. /삼성전자 제공 |
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TSMC는 미국 애리조나주 피닉스에 반도체 공장 2곳을 짓고 있다. TSMC는 첫번째 공장에서 2024년부터 4나노(1나노=10억분의 1m) 공정 기술을 활용한 반도체를 생산할 계획이었으나, 전문 인력 확보 문제로 공장 가동 시점을 2025년으로 미뤘다.
경 사장은 삼성전자의 테일러시 공장은 일정대로 순항 중이라고 설명했다. 그는 “(테일러시 반도체 공장 부지가) 지난해 7월에는 허허벌판이었는데 건물이 많이 지어졌다”며 “2024년 말에 이 공장에서 4나노 제품을 만들 것”이라고 했다.
경 사장은 또 “삼성 반도체는 상상을 현실로 만들기 위해 노력하고 있다”며 D램 셀을 만드는 공정은 이제 현재 10나노대를 만들고 있고, 낸드플래시는 이제 1000단이 될 것”이라고 했다. 그러면서 “파운드리는 우리가 게이트올어라운드(GAA·Gate All Around)의 창조자이므로 경쟁사를 앞서는 모습을 여기 계신 사람들이 볼 수 있을 것”이라고 했다.
GAA는 기존의 ‘핀펫’ 다음으로 등장한 차세대 트랜지스터 구조로, 핀펫 공법 대비 데이터 처리 속도와 전력 효율 등을 높일 수 있다. 삼성전자는 지난해 6월 3나노 양산에서 GAA 공법을 세계 최초로 적용했다.
권오은 기자(oheun@chosunbiz.com)
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