[아이뉴스24 권용삼 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 낸드 플래시 업계 주요 행사인 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2024'에 참가해 최신 인공지능(AI) 반도체를 대거 선보였다.

미국 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린'FMS 2024'에서 관람객들이 삼성전자 부스를 둘러보고 있는 모습. [사진=삼성반도체 SNS 캡처]

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10일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 지난 6~8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열린 'FMS'에서 솔리드스테이트드라이브(SSD), 3D 낸드플래시, 고대역폭메모리(HBM) 등을 공개했다.

올해 18주년을 맞는 'FMS'는 지난해까지 세계 최대 낸드 플래시 행사로 '플래시 메모리 서밋'으로 불렸지만 올해부터 D램을 포함한 메모리와 스토리지 전 영역으로 분야를 확대했다. 이에 이번 행사에는 삼성전자와 SK하이닉스를 비롯해 미국 마이크론 테크놀로지, 일본 키옥시아 등 전 세계 메모리 업체들이 대거 참가했다.

삼성전자는 이번 행사에서 최신 SSD 'PM1753'을 소개했다. SSD는 전원이 꺼져도 저장한 정보가 사라지지 않는 메모리인 낸드 플래시를 여러 개 탑재한 반도체댜. 'PM1753'은 생성형 AI 추론과 학습에 사용되는 서버용 SSD다. 이 제품은 삼성전자가 3년 만에 내놓는 서버용 SSD로, 지난 2021년 12월 공개한 PM1743 대비 전력효율과 성능이 각각 최대 1.7배 향상됐다.

아울러 이번 행사에서 삼성전자는 지난 4월 업계 처음으로 양산을 시작했다고 밝힌 3차원 낸드 플래시메모리인 '9세대 V낸드' 실물도 공개했다. 스마트폰과 SSD 등에 사용되는 9세대 V낸드는 '더블 스택'(2층) 구조로는 처음 300단 가까이 쌓아 올린 제품이다.

삼성전자는 'PM1753' 공개로 향후 생성형 AI를 위한 반도체 데이터 처리 성능과 전력 효율을 한층 개선할 수 있을 것으로 기대했다. 짐 앨리엇 삼성전자 반도체(DS) 부문 미주총괄 부사장은 지난 6일(현지시간) 기조연설에서 "AI 발전을 위해서는 메모리 반도체의 성장이 함께 이뤄져야 한다"며 "삼성전자는 끊임없는 연구개발과 기술 리더십으로 저전력 기반의 고성능 제품 개발을 선도해 나가겠다"고 말했다.

미국 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린'FMS 2024'에서 '메모리, 더 파워 오브 AI'를 슬로건으로 꾸민 SK하이닉스 부스 모습. [사진=SK하이닉스 ]

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SK하이닉스는 D램, 낸드 등 자동차·데이터센터 및 AI 관련 대용량·고성능 제품 39종 이상을 전시했다. 이 가운데 최신 기업용 SSD 'PS1010'은 176단 4D 낸드를 다수 결합한 패키지 제품으로, PE8110 PCIe Gen4 대비 읽기·쓰기 속도가 최대 150% 이상 향상됐고, 100% 이상 개선된 전성비를 갖췄다.

또 이번 분기 양산을 시작하는 5세대 HBM3E 12단과 내년 상반기 양산 목표인 321단 트리플레벨셀(TLC) 및 쿼드레벨셀(QLC) 4D 낸드 패키지 샘플과 321단 웨이퍼를 공개했다. 특히 엔비디아의 최신 AI 칩인 블랙웰 시리즈의 최상위 모델인 'GB200'에 HBM3E를 탑재한 실물을 공개하며 엔비디아와 파트너십을 과시했다.

이 밖에도 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 메모리에 연산 기능을 더한 차세대 메모리 설루션 'CMS 2.0'과 미국 로스앨러모스 국립 연구소와 공동 개발한 '객체 기반 컴퓨팅 스토리지(OCS)'을 소개했다.

아울러 HBM과 SSD 개발을 담당하는 권언오 SK하이닉스 부사장과 김천성 부사장은 6일(현지시간) 'AI 시대 메모리와 스토리지 솔루션'을 주제로 기조연설에 나서 AI 구현에 최적화된 자사의 D램, 낸드 제품 포트폴리오와 AI 메모리 솔루션을 소개했다. SK하이닉스는 AI 메모리 솔루션 미래를 선도하며 회사 경쟁력을 업계 전반에 알리는 기회로 만들겠다는 계획이다.

/권용삼 기자(dragonbuy@inews24.com)

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