SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다.

SK하이닉스는 “10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파해냈다”고 말했다.

SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 10나노급 6세대 1c DDR5 D램. SK하이닉스 제공

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SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 본격 공급할 계획이라고 밝혔다.

반도체업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있다.

1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대)에 이어 1c는 6세대 기술이다.

SK하이닉스는 2021년 7월 극자외선(EUV)을 활용해 1a 기술이 적용된 D램을 본격 양산한 데 이어 작년 2분기부터 1b 기술이 적용된 제품을 양산했다.

SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 것은 물론, 업계 최고 성능 D램으로 인정받는 SK하이닉스 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 판단했다는 게 회사 측 설명이다.

EUV 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다.

설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상시켰다고 SK하이닉스는 강조했다.

고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 전력효율은 9% 이상 개선됐다.

인공지능(AI) 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데 SK하이닉스 측은 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 기대하고 있다.

SK하이닉스는 향후 7세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4E 등에 1c 기술을 적용한다는 계획이다.

김종환 SK하이닉스 D램 개발담당 부사장은 “최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것”이라며 “앞으로도 D램 시장 리더십을 지키면서 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다”고 말했다.

박세준 기자 3jun@segye.com

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