인공지능(AI) 메모리 반도체 시장 주도권 경쟁을 벌이는 삼성전자와 SK하이닉스가 16일(현지시간) ‘AI 업계 우드스톡’으로 불리는 엔비디아의 연례 콘퍼런스 ‘GTC 2026’에서 차별화된 행보를 택했다.

삼성전자는 지난달 세계 최초로 양산 출하한 HBM4(6세대)보다 성능을 개선한 HBM4E(7세대)까지 공개하며 기술력으로 승부하겠다는 자신감을 드러냈다. SK하이닉스는 최태원 SK그룹 회장이 직접 현장을 찾아 엔비디아를 비롯한 빅테크 기업들과의 파트너십 강화에 나섰다.

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 16일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에서 열린 GTC 2026 행사장에서 최태원 SK그룹 회장과 함께 전시를 둘러보고 있다. 로이터연합뉴스

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삼성전자와 SK하이닉스는 미국 캘리포니아 새너제이 SAP센터의 GTC 2026 행사장에 마련한 전시 부스에서 HBM4 등 주력 반도체 제품을 선보였다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 이날 두 기업의 전시장을 차례로 방문하며 한국 기업들과의 협력을 과시했다.

황 CEO는 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM4 등에 친필 서명을 한 뒤, 이들 기업 임원들에게 “훌륭한 파트너십” “당신들은 완벽하고 자랑스럽다”는 등의 말을 건넸다. 엔비디아가 주도하는 AI 생태계에서 삼성전자와 SK하이닉스가 메모리 반도체 공급을 통해 다진 위상을 보여주는 대목이다.

이날 황 CEO의 기조연설을 통해 엔비디아의 새 추론용 AI 칩 ‘그록 3 LPU(언어처리장치)’ 위탁생산을 맡은 사실이 확인된 삼성전자는 기술력을 앞세워 AI 메모리 시장을 주도하겠다는 의지를 드러냈다. 삼성전자는 HBM4E 실물 칩과 이를 구성하는 적층용 D램 칩인 ‘코어 다이’ 웨이퍼를 처음 공개했다.

HBM4E는 1나노 D램 공정과 파운드리 4나노 기반 베이스 다이 설계를 적용했다. 성능도 데이터 처리 속도가 16Gbps, 대역폭 4TB/s로 이전 세대 HBM4(최대 13Gbps, 대역폭 3.3TB/s)보다 개선됐다. 삼성전자는 HBM4E 역시 HBM4와 마찬가지로 자사의 메모리와 파운드리(위탁생산), 로직 설계 및 첨단 패키징 역량을 하나로 합친 결과라며 ‘토털 솔루션’ 제공 역량을 강조했다.

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 16일(현지시간) GTC 2026 삼성전자 부스에서 HBM4 코어 다이를 들고 있는 황상준 메모리개발담당 부사장(왼쪽), 한진만 파운드리 사업부장 사장(오른쪽)과 기념촬영을 하고 있다. 삼성전자 제공

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SK하이닉스 측에선 최 회장과 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO) 등 경영진이 GTC에 참석했다. SK하이닉스는 HBM4를 비롯해 엔비디아의 AI 플랫폼에 탑재된 메모리 제품, 엔비디아와 협업한 액체 냉각식 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 등 여러 솔루션도 전시했다.

최 회장은 이날 SK하이닉스의 미국 증시 상장 가능성도 시사했다. 그는 취재진과 만나 미국 주식예탁증서(ADR)를 통해 미국 증시에 상장할 가능성에 대해 “상장을 검토하고 있다”고 말했다. ADR은 미국 시장에서 기업 주식을 유통하기 위해 발행하는 대체증권이다. 시장에선 SK하이닉스의 ADR 상장이 기업가치 재평가로 이어질 수 있다는 분석이 나온다. 최 회장은 또한 메모리 반도체 공급 부족이 2030년까지 이어질 것으로 전망하며 “(곽 CEO가) D램 가격 안정화를 위해 새로운 계획을 곧 발표할 것”이라고 말했다.

김유진 기자 yjkim@kyunghyang.com

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