업계 최초 양산, 삼성전자 QLC 9세대 V낸드 제품./삼성전자 제공

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삼성전자가 초고용량 서버 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 위한 ‘1Tb(테라비트) QLC(쿼드러플레벨셀) 9세대 V낸드’를 업계 최초로 양산했다고 12일 밝혔다.

삼성 9세대 V낸드는 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술인 ‘채널 홀 에칭’을 활용한 더블 스택 구조로 업계 최고 단수를 구현해 냈다고 설명했다.

특히 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀과 셀의 동작을 관장하는 각종 회로들로 구성인 페리(Peripheral)의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 비트 밀도(Bit Density)가 약 86% 증가했다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 뜻한다.

V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 더욱 중요해졌으며, 삼성전자는 이를 위해 ‘디자인드 몰드(Designed Mold)’ 기술을 활용했다고 밝혔다. 몰드는 셀을 동작시키는 WL(Word Line)의 층을 의미한다.

‘디자인드 몰드’란 셀 특성 균일화와 최적화를 위해 셀을 동작시키는 WL(Word Line)의 간격을 조절해 적층하는 기술로, 삼성전자는 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 높였다.

이번 9세대 QLC는 셀의 상태 변화를 예측해 불필요한 동작을 최소화하는 ‘예측 프로그램(Predictive Program) 기술’ 을 통해 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했다.

또, 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(Bit Line)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 ‘저전력 설계 기술’을 통해 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 감소했다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 “9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다”고 밝혔다.

전병수 기자(outstanding@chosunbiz.com)

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