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고대역폭메모리(HBM) 6세대인 HBM4 시장이 본격 개화한 가운데 선두주자인 SK하이닉스와 후발주자인 삼성전자 간의 경쟁이 더욱 치열해질 전망이다.

23일 반도체업계에 따르면 SK하이닉스와 삼성전자는 올 하반기 HBM4 양산을 목표로 개발을 진행하고 있다. HBM4는 6세대 제품으로 1세대(HBM)→2세대(HBM2)→3세대(HBM2E)→4세대(HBM3)→5세대(HBM3E) 순으로 개발됐다.

삼성전자는 지난 19일 주주총회를 통해 차세대 HBM ‘HBM4’를 하반기에 양산하겠다고 발표했다. 당초 목표였던 2026년보다 약 6개월 앞당겼다.

앞서 삼성전자는 지난해 2월 세계 최초로 HBM3E 개발을 완료했지만 1년 넘게 엔비디아 퀄테스트(품질검증)를 진행 중이다. 업계에서는 퀄테스트 통과가 지연되는 이유로 발열 및 전력 효율 문제, 수율 문제 등을 꼽고 있다.

특히 삼성전자는 HBM 시장에서 초기 대응 실패로 경쟁사에 시장 우위를 뺏긴 점 등을 인정하면서도 같은 실수를 반복하지 않겠다는 각오를 다졌다.

전영현 삼성전자 DS 부문장(부회장)은 정기주주총회에서 “AI 반도체 시장의 초기 대응이 늦어 메모리 제품의 수익성 개선이 늦었다”며 “올해 2분기부터 혹은 늦으면 하반기부터 HBME3E 12단으로 빠르게 전환해 고객 수요에 맞춰 램프 업(생산량 확대)할 예정”이라고 말했다.

그러면서 “HBM3E는 올해 제품이고 다음 시장은 HBM4, 커스텀 HBM 시장”이라며 “신시장에서 지난해 HBM3E와 같은 과오를 되풀이하지 않기 위해 하반기 목표로 차질 없이 개발해 양산할 것”이라고 덧붙였다.

SK하이닉스 6세대 고대역폭 메모리 ‘HBM4’ 세계 최초 샘플 공급. [사진출처=SK하이닉스]

삼성전자가 ‘사즉생(死卽生)’의 각오를 다지고 있는 가운데 SK하이닉스는 다시 한번 HBM4 시장에서도 앞서나가는 모습이다.

지난 19일 SK하이닉스는 AI용 초고성능 D램 신제품인 HBM4 12단 샘플을 세계 최초로 주요 고객사들에 제공했다고 밝혔다. 양산은 올해 하반기 안으로 마무리될 계획이다.

SK하이닉스는 “HBM 시장을 이끌어온 기술 경쟁력과 생산 경험을 바탕으로 당초 계획보다 조기에 HBM4 12단 샘플을 출하해 고객사들과 인증 절차를 시작한다”며 “양산 준비 또한 하반기 내로 마무리해 차세대 AI 메모리 시장에서의 입지를 굳건히 하겠다”고 말했다.

이번에 샘플로 제공한 HBM4 12단 제품은 AI 메모리가 갖춰야 할 세계 최고 수준의 속도를 갖췄다. 12단 기준으로 용량도 세계 최대 수준이다.

앞서 SK하이닉스는 지난 2022년 HBM3를 시작으로 2024년 HBM3E 8단, 12단도 업계 최초 양산에 연이어 성공하는 등 AI 메모리 시장 선두를 이어나가고 있다.

김주선 SK하이닉스 AI인프라 사장은 “고객들의 요구에 맞춰 기술 한계를 극복하며 AI 생태계 혁신의 선두주자로 자리매김했다”며 “업계 최대 HBM 공급 경험에 기반해 앞으로 성능 검증과 양산 준비를 순조롭게 진행할 것”이라고 설명했다.

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