■SK하이닉스 주총서 '자신감'
글로벌 수요 강세에 올 물량 동나
차세대 HBM4 12단도 공급할 듯
올해 말엔 10나노급 6세대 생산
용인클러스터 2028년 양산 목표
첫 女 이사회 의장에 한애라 교수
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고대역폭메모리(HBM) 특수를 누리고 있는 SK하이닉스(000660)가 내년 물량까지 올 상반기 안에 고객과 협의를 끝낼 전망이다. SK하이닉스는 첫 여성 이사회 의장으로 한애라 사외이사를 선임했다. ★본지 3월 27일자 13면 참조
곽노정 SK하이닉스 사장은 27일 경기도 이천 본사에서 열린 제77기 정기 주주총회에서 “내년 HBM 물량은 올 상반기에 고객과 협의를 마무리할 예정”이라고 말했다. 그는 “HBM 제품의 특성상 높은 투자 비용과 긴 생산 기간이 요구되는 만큼 사전 물량 협의를 통해 판매 가시성을 높이고 있다”고 덧붙였다.
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SK하이닉스는 세계 최초로 주요 고객사들에 HBM4(6세대) 12단 샘플을 공급해 성능 테스트를 진행 중인데 올 하반기부터는 HBM4 12단 제품을 양산할 예정이다. 이에 따라 고객사의 내년 예약 물량에는 HBM3E 12단 제품은 물론 HBM4 12단 제품까지 포함됐을 가능성이 크다.
HBM은 대표적인 AI용 메모리다. 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 1000개 이상의 구멍을 뚫어 데이터 이동 속도를 극대화한 제품으로 데이터가 폭증하고 있는 AI 시장에서 각광받고 있다. SK하이닉스는 세계 1위 AI 칩 회사인 엔비디아와의 긴밀한 협력으로 이 분야에서 50% 이상의 독보적인 시장점유율을 기록하고 있다.
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곽 사장은 “세계 경제성장률 전망이 지속 하향되는 등 불확실성이 높지만 AI 주도권 확보를 위한 빅테크 투자는 확대되고 있다”며 “그래픽처리장치(GPU)와 맞춤형 칩(ASIC) 등의 증가로 HBM의 폭발적 수요 증가도 예상된다”고 내다봤다. 그는 이어 “2023년 대비 올해 HBM 시장은 8.8배 이상 증가할 예정”이라고 덧붙였다.
SK하이닉스는 HBM 수요에 대응해 캐파(생산능력)를 계속 늘려갈 방침이다. 올해 말 준공 예정인 청주 M15X 팹(공장)에서 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 6세대 D램 공정을 사용해 HBM을 생산한다. 이 D램은 HBM3E와 HBM4 등 최첨단 HBM을 만들 때 필요한 D램이다. 곽 사장은 “HBM3E와 HBM4는 같은 D램을 활용해 수요에 맞춰 유연하게 대응할 수 있다”고 설명했다.
차세대 메모리 생산 거점인 경기도 용인 클러스터의 양산 목표 시점은 2028년 1분기로 제시했다.
SK하이닉스는 이날 정기 주주총회 종료 직후 열린 이사회에서 한 이사를 신임 의장으로 선임했다. 한 신임 의장은 판사와 변호사를 거쳐 현재 성균관대 법학전문대학원 교수로 재직 중이다. SK하이닉스는 “법률 전문가로서 회사의 지배구조와 감사 기능을 강화하는 데 기여했다”며 “이사회의 다양성 확대와 거버넌스 제고에 큰 힘이 될 것”이라고 밝혔다.
강해령 기자 hr@sedaily.com임진혁 기자 liberal@sedaily.com
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