[머니투데이 최석환 기자] [美실리콘밸리서 '삼성 테크 데이 2019' 개최..'엑시노스 990'·'엑시노스 모뎀 5123' 등 공개 ]

지난 23일(현지시간) 미국 실리콘밸리 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 열린 '삼성 테크 데이 2019'에서 강인엽 시스템LSI 사업부 강인엽 사장이 기조 연설을 하고 있다./사진제공=삼성전자

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삼성전자가 23일(현지시각) 미국 실리콘밸리에 있는 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 '삼성 테크 데이 2019'를 열고 차세대 반도체 신기술을 대거 선보였다.

우선 시스템 반도체 분야에서 2개의 NPU(신경망처리장치) 코어로 인공지능(AI) 연산 성능을 대폭 향상시킨 고성능 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) '엑시노스(Exynos) 990'과 5G(5세대 이동통신) 솔루션 신제품 '엑시노스 모뎀 5123'을 공개했다.

두 제품은 최신 7나노 EUV(극자외선·Extreme Ultra Violet) 공정 기반의 차세대 프리미엄 모바일 제품이다.

삼성전자 모바일AP '엑시노스(Exynos) 990'/사진제공=삼성전자

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◇업계 최고 스펙 '엑시노스 990'·'엑시노스 모뎀 5123' 공개..연내 양산= '엑시노스 990'은 전력효율을 극대화했으며 성능도 기존 프리미엄 모바일 AP 대비 20% 향상됐다. 여기에 최신 그래픽처리장치(GPU)로 그래픽 성능을 최대 20% 이상 끌어올렸으며, 초고속 LPDDR5(저전력 이중 데이터 전송률 메모리5·Low Power Double Data Rate5) D램 지원, 최대 6개 이미지센서까지 확장할 수 있는 이미지처리장치(ISP·Image Signal Processor) 등 업계 최고 수준의 기능을 두루 갖췄다.

'엑시노스 모뎀 5123'는 6GHz(기가헤르츠) 이하 5G 네트워크에서 기존 대비 최고 2배 빨라진 업계 최고 수준의 초당 5.1Gb(기가비트) 다운로드 속도를 구현했다. 또 8개의 주파수를 하나로 묶는 기술(CA·Carrier Aggregation)을 적용해 밀리미터파(mmWave) 대역에서도 초당 최대 7.35Gb의 다운로드 속도를 지원한다. 이는 풀HD급 영화 한편(3.7GB)을 약 4초만에 내려 받는 속도로 업계 최고 수준이다.

강인엽 시스템 LSI사업부 사장은 "AI, 5G 시대에 최적화된 혁신적인 제품"이라며 "연내 양산할 계획"이라고 밝혔다.

삼성전자 5G 통신칩 '엑시노스(Exynos) 모뎀 5123'/사진제공=삼성전자

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◇메모리·낸드도 차세대 시장 선도..평택 신규라인서 생산 대응= 메모리 반도체 분야에선 '3세대 10나노급(1z) D램'과 '7세대(1yy) V낸드 기술', 'PCIe Gen5 SSD 기술', '12GB uMCP' 등 신제품과 개발중인 차세대 기술의 사업화 전략을 소개했다.

삼성전자는 지난달부터 업계 최초로 '3세대 10나노급(1z) D램'을 본격 양산 중이며 이를 기반으로 내년 초 최고 성능·최대 용량의 D램 라인업을 선보이기로 했다. 특히 역대 최대 용량인 512GB(기가바이트) DDR5 D램을 비롯해 초고성능·초고용량 차세대 메모리 솔루션도 제공키로 했다.

박광일 D램 개발실 전무는 "에코시스템 업체들과 자율주행, AI 응용시장에서 안전성 향상을 위한 기술 협력을 확대해 나갈 것"이라고 설명했다.

삼성전자 '24Gb LPDDR4X D램'/사진제공=삼성전자

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삼성전자는 지난 7월 100단 이상 셀을 하나의 구조로 완성한 6세대(1xx) V낸드와 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 업계 최초 양산한데 이어 용량과 성능을 2배 향상하는 7세대(1yy) V낸드 기술의 사업화 전략을 공개했다. 7세대(1yy) V낸드는 업계 유일의 100단 이상 셀을 한 번에 뚫는 단일 공정을 더욱 개선한 적층 기술과 칩 면적을 최소화 할 수 있는 기술을 접목한 제품이다. 내년 출시가 목표다.

기존 1세대 대비 읽기응답 시간과 지연 시간(Latency)을 개선한 2세대 Z-낸드 라인업도 선보였다. 강동구 플래시 개발실 상무는 "2013년 3차원 V낸드 양산을 통해 새로운 메모리 시장을 창출한 이래 세대가 증가할수록 기술 난이도가 더욱 높아지고 있다"며 "7세대 V낸드엔 더욱 혁신적인 기술로 속도와 용량을 향상시킬 것"이라고 말했다.

삼성전자는 이밖에도 차세대 'PCIe(데이터 입출력을 위한 직렬 데이터 전송 구조의 인터페이스) Gen5 NVMe(초고속 비휘발성 메모리 익스프레스) SSD' 기술의 사업화 계획과 대화면 스마트폰 시대에 최적화된 대용량 '12GB LPDDR4X uMCP(UFS-Based Multi Chip Package)' 제품도 공개했다.

'PCIe Gen5 NVMe SSD'는 SATA(저장장치용 고속 인터페이스) SSD보다 최대 25배 이상 빠른 역대 최고의 연속 읽기(14GB/s)·쓰기 속도(10GB/s)를 목표로 개발 중이다.

'12GB LPDDR4X uMCP'는 초당 4266Mb(메가비트)의 D램 읽기·쓰기 속도를 구현하면서 용량은 1.5배 높이고 소비전력 증가를 최소화해 초고화질 영상 촬영, AI과 머신러닝(ML) 기능을 안정적으로 지원한다. uMCP는 UFS 규격의 초고속 낸드플래시와 모바일 D램을 하나로 패키징해 모바일 기기 설계에 장점을 갖춘 제품으로 미드엔드 스마트폰에 주로 탑재되고 있다.

삼성전자는 평택 신규 라인에서 차세대 라인업을 본격 양산해 고객 수요 증가에 차질 없이 대응해 나가기로 했다.

최주선 미주지역총괄 부사장은 "앞으로도 더욱 혁신적인 반도체 기술 개발을 통해 미래 IT 산업 전반에 걸쳐 새로운 가능성을 열어 나가는데 기여할 것"이라고 말했다.

삼성전자 '12GB uMCP'/사진제공=삼성전자

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최석환 기자 neokism@mt.co.kr

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