[디지털데일리 배태용 기자] "GaN(질화 갈륨) 기반 양산은 내년 하반기를 예상하고 있습니다. SiC(실리콘 카바이드)의 경우 국내 한 업체가 8인치 웨이퍼를 개발 중인데, 시점을 맞춰 함께 차질 없이 준비하고 있습니다."

SK키파운드리 남정엽 TL은 10일 경기 성남에서 열린 반도체 팹리스 얼라이언스 행사에서 이같이 밝혔다. 이날 남 TL은 SK키파운드리의 GaN, SiC 기반 차세대 전력 반도체 기술과 주요 고객사 동향을 소개하며, 시장 내 입지를 더욱 강화해 나가겠다는 포부를 드러냈다.

남 TL은 "SK키파운드리는 변화하는 시장과 고객의 요구에 맞춰 다양한 공정을 제공하며 기술 혁신을 이어가고 있다"라며, "아날로그(Analog) 및 혼성신호시스템(mixed-signal), 전력 반도체(power), 비휘발성 메모리(NVM) 기술을 중심으로 0.35㎛, 0.18㎛, 0.13㎛의 공정을 제공하고 있다"라고 설명했다. 이를 통해 고객 맞춤형 솔루션을 제공하며 경쟁력을 강화하고 있다는 설명이다.

특히 이번 발표에서 남 TL은 GaN과 SiC 전력 반도체 기술이 SK키파운드리의 미래 핵심 기술이라고 강조했다. GaN은 고속 스위칭과 고전압이 필요한 전력 응용에 적합한 차세대 화합물 반도체로, 기존 실리콘 반도체 대비 전자 이동도가 높고 발열이 적다. 이를 통해 크기와 무게를 줄이면서도 더 높은 효율성을 제공할 수 있다.

남 TL은 "GaN은 전기차, 데이터센터 등 고효율이 요구되는 시장에서 특히 주목받고 있다"라며, "주요 전기차 업체와의 협력을 통해 양산 준비가 순조롭게 진행되고 있다"라고 전했다.

SiC는 고온, 고전력 환경에서의 뛰어난 안정성을 제공, 전기차 및 고전력 산업에 적합한 기술로 평가받고 있다. 남 TL은 "한 웨이퍼 업체와 협력으로 SiC 전력 반도체 양산을 위한 8인치 웨이퍼를 개발 중이며, 사업 추진을 검토하고 있다"라고 밝혔다. SiC는 특히 전기차 충전 시스템과 같은 고출력 응용에서의 수요가 급증하고 있다.

GaN과 SiC 반도체는 전기차와 데이터센터를 포함한 여러 고효율 응용 시장에서 필수적인 요소로 자리 잡고 있다. 전력 반도체는 에너지 효율과 성능을 결정짓는 중요한 기술로, SK키파운드리는 이를 통해 고객사들과의 협력을 강화하고 있다.

남 TL은 "차세대 전력 반도체 기술을 바탕으로 고효율 에너지 솔루션을 제공하며 글로벌 시장에서의 경쟁력을 강화할 계획"이라고 밝혔다. SK키파운드리는 전기차, 태양광, 데이터센터 등에서 지속적인 수요 증가를 예상하고 있으며, 이에 맞춰 다양한 응용 분야로의 확장을 목표로 하고 있다.

또한 SK키파운드리는 0.35㎛부터 0.18㎛까지 다양한 공정 노드를 제공해, 사물인터넷(IoT) 및 통신 시장의 고정밀, 저전력 제품 수요에도 대응하고 있다. 이는 센서 및 RF(Radio Frequency) 분야에서 요구되는 고성능 제품 개발에 최적화된 솔루션을 제공한다.

남 TL은 "고객 맞춤형 공정을 통해 고객의 니즈에 빠르게 대응할 수 있는 역량을 갖추고 있다"라며, "이러한 기술적 강점을 통해 시장 내 입지를 더욱 확고히 할 계획이다"라고 설명했다.

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