HBM 경쟁력 향상 공로 인정
<이미지를 클릭하시면 크게 보실 수 있습니다> |
SK하이닉스(000660)는 최우진 SK하이닉스 P&T(패키징&테스트)담당 부사장이 반도체 패키징 분야 기술 혁신을 통해 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력 향상을 이루어낸 공로로 동탑산업훈장을 수상했다고 19일 밝혔다.
시상식은 지난 7일 서울 여의도 FKI 타워에서 열린 ‘제48회 국가생산성대회’에서 진행됐다.
그는 2019년 HBM 3세대 제품인 HBM2E 패키지에 최초로 MR-MUF 기술을 도입해 열과 압력으로 인한 품질 문제를 개선했으며, 수율을 개선하고 생산량을 끌어올림으로써 시장의 판도를 바꿨다는 평가를 받는다.
MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정이다. 또 MR-MUF 기술을 고도화한 '어드밴스드 MR-MUF' 기술을 개발하여 4세대 HBM3 12단과 5세대 HBM3E 개발 및 양산까지 성공으로 이끌었다.
또한 2022년 시작된 반도체 시장의 다운턴(불황기)에 대응하고자 '다운턴 태스크포스(TF)'에 합류하고 수익성이 높은 프리미엄 제품군의 생산을 확대, 운영 방식 전환을 추진하고 공정 효율을 개선했다.
최 부사장은 "기술과 품질이라는 기본을 잊지 않고, 도전 정신을 발휘한다면 위기가 다시 닥쳐와도 우리는 그것을 또 다른 기회로 만들 수 있을 것"이라고 말했다.
노우리 기자 we1228@sedaily.com
[ⓒ 서울경제, 무단 전재 및 재배포 금지]
이 기사의 카테고리는 언론사의 분류를 따릅니다.
기사가 속한 카테고리는 언론사가 분류합니다.
언론사는 한 기사를 두 개 이상의 카테고리로 분류할 수 있습니다.
언론사는 한 기사를 두 개 이상의 카테고리로 분류할 수 있습니다.