SK하이닉스는 21일 세계 최고층 낸드플래시인 321단 1Tb(테라비트) TLC 양산에 돌입했다고 밝혔다. SK하이닉스는 “지난해 6월 직전 세대 최고층 낸드인 238단 제품을 양산해 시장에 공급했고, 이번에 300단을 넘어서는 낸드를 가장 먼저 선보이며 기술 한계를 돌파했다”며 “내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급하겠다”라고 밝혔다.
반도체 업계에선 SK하이닉스가 업계 예상보다 이른 시점에 321단 낸드를 양산한 것에 주목한다. D램에 이어 낸드에서도 SK하이닉스가 인공지능(AI) 시장에 빠르게 대응하는 움직임이라서다. SK하이닉스는 ‘3-플러그(Plug)’ 공정을 도입해 적층 한계를 극복했다고 밝혔다. 3번에 나누어 공정을 진행한 후 전체 낸드를 쌓아 연결하는 방식이다.
321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다. 인공지능(AI) 시장이 폭발적으로 커지면서 빅테크 기업의 서버 구축이 늘어나며 D램은 물론 저전력 고성능 고용량 낸드플래시 수요도 높아지는 추세다. 최정달 SK하이닉스 낸드개발 담당(부사장)은 “고대역폭메모리(HBM)로 대표되는 D램은 물론 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 ‘풀스택(Full Stack) AI 메모리 공급자’로 도약할 것”이라 말했다.
D램을 쌓아 만드는 HBM이 최근 12층을 넘어 16층·20층 쌓기 경쟁에 돌입한 것처럼 낸드플래시 역시 AI 시대를 맞아 더 높이 쌓는 초고층 전쟁에 불이 붙었다. 낸드는 데이터를 담는 셀을 수직으로 여러 층 쌓아 저장 용량을 늘리는 기술이 핵심이다. 고층 아파트를 지으면 더 많은 사람을 수용할 수 있는 것처럼, 낸드도 쌓는 단수가 높을수록, 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.
삼성전자가 낸드 시장에서 압도적 우위를 지켜왔지만, 최근 SK하이닉스와 미국 마이크론, 일본 키옥시아가 잇따라 200단 이상의 낸드를 개발·양산하면서 초고층 전쟁이 치열해지고 있다. 최근에는 중국 YMTC(양쯔메모리)마저 200단 이상의 기술 수준에 도달하면서 경쟁이 격화하는 추세다.
삼성전자는 이르면 내년 첨단 패키징 공정인 하이브리드 본딩을 적용한 400단 이상 낸드를 개발해 경쟁사의 추격을 뿌리치겠다는 전략인 것으로 알려졌다. 반도체 업계에서는 오는 2035년까지 1000단 낸드 시대가 열릴 가능성도 있다고 본다.
이희권 기자 lee.heekwon@joongang.co.kr
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