1c DDR5 D램. SK하이닉스 제공

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SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다.

SK하이닉스는 “10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난도가 극도로 높아졌으나, 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파해냈다”고 했다.

SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 본격 공급할 계획이다.

반도체업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙이고 있다. 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대)에 이어 1c는 6세대 기술이다.

SK하이닉스는 2021년 7월 극자외선(EUV)을 활용해 1a 기술이 적용된 D램을 본격 양산한 데 이어 지난해 2분기부터 1b 기술이 적용된 제품을 양산했다.

SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다고 설명했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이고, SK하이닉스 1b의 강점을 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 판단했다는 것이다.

고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 전력 효율은 9% 이상 개선됐다.

인공지능(AI) 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데 SK하이닉스 측은 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 기대하고 있다.

SK하이닉스는 향후 7세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4E 등에 1c 기술을 적용한다는 계획이다.

김상범 기자 ksb1231@kyunghyang.com

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