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    삼성전자 HBM4, 설 이후 양산 출하…주도권 경쟁 고조

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    삼성전자가 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 설 연휴 이후 세계 최초로 양산 출하한다. 인공지능(AI) 반도체 산업 판도를 가늠할 HBM4 주도권 확보를 둘러싼 경쟁이 더욱 달아오를 것으로 전망된다.

    8일 업계에 따르면 삼성전자는 HBM4 양산 출하 시점을 이달 셋째주로 결정했다. 삼성전자는 지난달 말 2025년 4분기 실적 발표 당시 HBM4의 2월 양산 출하 일정을 공식화했다.

    삼성전자가 엔비디아로부터 HBM4 샘플 품질 테스트를 경쟁사보다 먼저 통과한 데 이어 세계 첫 양산 출하를 통해 차세대 HBM 시장 선점에 나선 것이다. 하반기 출시되는 엔비디아의 AI 가속기 ‘베라 루빈’에 탑재될 HBM4의 구매주문(PO) 물량도 크게 늘어난 것으로 관측된다.

    삼성전자의 HBM4는 데이터 처리 속도나 메모리 대역 폭, 용량 등에서 최고 수준의 성능을 보이는 것으로 알려졌다. 최선단인 1c(10나노급 6세대) D램 공정과 4나노 파운드리 공정을 동시 적용해 국제반도체 표준협의기구(JEDEC) 표준을 넘어서는 최대 11.7Gbps(초당 기가비트)의 처리 속도를 달성했다. 단일 스택(묶음) 기준 메모리 대역 폭도 이전보다 약 2배 향상된 최대 3TB/s(초당 테라바이트) 수준이다. 12단 적층 기술로 최대 36GB의 용량을 제공한다. 향후 16단 적층 기술을 적용하면 46GB까지도 확장될 수 있다.

    경향신문

    연합뉴스

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    이전 세대 HBM 제품에서의 열세로 SK하이닉스에 ‘D램 왕좌’를 내줬던 삼성전자는 HBM4 기술력과 양산 능력으로 반도체 부흥을 꾀한다는 전략이다. 삼성전자는 AI 슈퍼사이클에 따른 HBM 수요 폭증에 대비해 평택캠퍼스 4공장(P4)에서 신규 D램 라인도 증설하기로 했다. 내년 1분기까지 월 10만~12만장 웨이퍼를 생산할 수 있는 규모로, HBM4에 탑재되는 1c D램 라인을 설치할 예정이다. 증설 시 D램 생산 역량이 18%가량 늘어나게 된다.

    이에 따라 HBM4의 글로벌 시장 주도권을 놓고 삼성전자와 SK하이닉스 등 기업들의 경쟁이 한층 치열해질 것으로 보인다.

    SK하이닉스는 엔비디아 베라 루빈 등에 사용되는 HBM4 수요의 약 70%를 공급할 것으로 알려졌다. 이전 세대 제품인 HBM3E 물량과 수율, 시장 점유율 면에서 우위를 보여온 SK하이닉스는 HBM4에서도 안정성과 양산 능력을 무기로 고객사 일정에 맞춰 제품을 내놓을 방침이다. 아울러 HBM4 두뇌 역할을 하는 베이스 다이를 함께 생산하는 TSMC와의 파트너십을 통해 안정적인 양산을 이어간다는 구상이다.

    이에 대응해 삼성전자는 설계부터 메모리, 파운드리, 패키징 등 모든 공정을 자체적으로 진행해 속도와 효율성을 끌어올린 데 이어 세계 첫 HBM4 공급자 지위를 통해 시장 점유율을 더욱 늘려가겠다는 계획이다.

    업계 관계자는 “올해도 HBM4는 물론 AI 반도체 산업에서 한국 기업들의 성장세가 계속될 것”이라며 “경쟁력을 극대화하면서 우위를 지속하기 위한 기술 투자와 체계적인 전략이 관건”이라고 말했다.

    경향신문

    CES 개막 3일차인 8일(현지시간) 미국 네바다주 라스베이거스 베네시안 컨벤션센터 SK 하이닉스 부스에 HBM4 영상이 재생되고 있다. 연합뉴스

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    김유진 기자 yjkim@kyunghyang.com

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