2030년까지 21조6000억 추가 투자
SK하이닉스는 25일 이사회 결의를 통해 ‘용인 반도체 클러스터’ 1기 팹(반도체 생산공장) 완공과 클린룸 페이즈 2~6기 건설에 21조6081억원을 투자하기로 했다고 공시했다. 투자 기간은 오는 3월1일부터 2030년 12월31일까지다.
앞서 SK하이닉스는 2024년 7월 1기 팹과 초기 운영에 필요한 부대시설 건설에 9조4000억원을 투자한다고 밝혔다. 이번 추가 투자로 1기 팹 건설에 투입되는 총투자액은 약 31조원으로 늘었다.
경기 용인시 처인구 원삼면 일대에 416만㎡(약 125만8000평) 규모로 조성되는 용인 반도체 클러스터 일반산단 내 197만㎡(약 60만평) 부지에는 최첨단 팹 4개가 들어설 예정이다. SK하이닉스는 국내외 소재·부품·장비 기업 50여곳과 협력 단지를 구축하는 등 총 600조원 규모 투자를 단계적으로 집행할 계획이다.
지난해 2월 1기 팹을 착공한 SK하이닉스는 내년으로 예정된 준공 시점을 앞당기기 위해 공사를 서두르고 있다.
이번 투자는 AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅(HPC) 확산에 따른 고성능·고집적 반도체 수요 증가에 대응하기 위한 전략적 결정으로 풀이된다. 1기 팹에서는 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 시장 상황에 따라 다른 제품 생산도 가능하도록 유연성을 확보한다는 방침이다.
권재현 선임기자 jaynews@kyunghyang.com
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